Детальная информация

В работе изучены закономерности изменения состава и структуры поверхностных слоев GaP (111) при бомбардировке электронами c энергиями Е[е] = 3 - 10 кэВ и дозами D = 10{17} – 10{20} cм{-2}. Для этого использован метод оже-электронной спектроскопии и регистрация угловой зависимости коэффициента неупругого отражения электронов. Установлено, что при Е[е] = 3 кэВ поверхностные слои GaP обогащаются атомами P, а случае Е[0] = 10 кэВ - атомами Ga. В обоих случаях профили распределения атомов Ga по глубине образца имеют немонотонный характер. Оценено значение энергии электронов, при котором происходит инверсия состава поверхности. Дан анализ полученных результатов.

In the paper, the patterns of changes in the composition and structure of the surface layers of GaP(111) in bombardment by electrons with energies from 3 to 10 keV and doses in the range 10{17} - 10{20} cm{-2} have been studied using the method of Auger electron spectroscopy and recording the angular dependence of the electron inelastic reflection coefficient. It was established that the surface layers of GaP were enriched with P atoms at E = 3 keV, and with Ga atoms at E = 10 keV. In both cases, the Ga atoms distribution profiles over the depth the sample were non-monotonic. The electron energy value at which an inversion of the surface composition took place was estimated. An analysis of the results obtained was given.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 17, № 3, 2024. — 1 файл (10,2 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j25-34.pdf>.