Details
| Title | Влияние низкоэнергетической электронной бомбардировки на состав и структуру поверхности фосфида галлия // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 97-104 |
|---|---|
| Creators | Донаев С. Б. ; Ширинов Г. М. ; Умирзаков Б. Е. ; Лобода В. В. |
| Imprint | 2024 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Химия ; Химия твердого тела ; фосфид галлия ; структура поверхности галлия ; электронные бомбардировки (химия) ; низкоэнергетические бомбардировки ; оже-электронная спектроскопия ; наноразмерные фазы ; поверхностные слои (химия) ; gallium phosphide ; gallium surface structure ; electronic bombardment (chemistry) ; low-energy bombing ; auger-electron spectroscopy ; nanoscale phases ; surface layers (chemistry) |
| UDC | 544.22 |
| LBC | 24.52 |
| Document type | Article, report |
| File type | |
| Language | Russian |
| DOI | 10.18721/JPM.17309 |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\75163 |
| Record create date | 2/5/2025 |
В работе изучены закономерности изменения состава и структуры поверхностных слоев GaP (111) при бомбардировке электронами c энергиями Е[е] = 3 - 10 кэВ и дозами D = 10{17} – 10{20} cм{-2}. Для этого использован метод оже-электронной спектроскопии и регистрация угловой зависимости коэффициента неупругого отражения электронов. Установлено, что при Е[е] = 3 кэВ поверхностные слои GaP обогащаются атомами P, а случае Е[0] = 10 кэВ - атомами Ga. В обоих случаях профили распределения атомов Ga по глубине образца имеют немонотонный характер. Оценено значение энергии электронов, при котором происходит инверсия состава поверхности. Дан анализ полученных результатов.
In the paper, the patterns of changes in the composition and structure of the surface layers of GaP(111) in bombardment by electrons with energies from 3 to 10 keV and doses in the range 10{17} - 10{20} cm{-2} have been studied using the method of Auger electron spectroscopy and recording the angular dependence of the electron inelastic reflection coefficient. It was established that the surface layers of GaP were enriched with P atoms at E = 3 keV, and with Ga atoms at E = 10 keV. In both cases, the Ga atoms distribution profiles over the depth the sample were non-monotonic. The electron energy value at which an inversion of the surface composition took place was estimated. An analysis of the results obtained was given.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
Access count: 74
Last 30 days: 28
