Details
| Title | Разработка упругой модели эпитаксиальной тонкой пленки цирконата свинца c учетом приинтерфейсных микроскручиваний = Development of an elastic model for the epitaxial thin film of lead zirconate considering interfacial micro-twists // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2025. – Т. 18, № 4. — С. 21-33 |
|---|---|
| Creators | Хлюпин И. В. ; Мешков В. Р. ; Соколова Д. А. ; Бурковский Р. Г. |
| Imprint | 2025 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; эпитаксиальные тонкие пленки ; цирконат свинца ; приинтерфейсные микроскручивания ; псевдополяризация ; сегнетоэлектрические материалы ; доменные стенки (физика) ; домен-доменные взаимодействия ; epitaxial thin films ; lead zirconate ; near-interface microtwists ; pseudopolarization ; ferroelectric materials ; domain walls (physics) ; domain-domain interactions |
| UDC | 539.2 |
| LBC | 22.37 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.18721/JPM.18402 |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\78717 |
| Record create date | 4/23/2026 |
Цель работы - построение модели для описания микроскопических скручиваний в эпитаксиальных тонких пленках на основе цирконата свинца PbZrO[3]. Модель описывает эпитаксиальный контакт пленки с подложкой и условия механической совместимости доменов, вклады от псевдополяризации, упругих и домен-доменных взаимодействий, а также вклад от аналога электрострикции в сегнетоэлектрических материалах. Оптимизация значений параметров осуществлялась через минимизацию свободной энергии при варьировании величины упругих смещений и векторов псевдополяризации. Полученные результаты качественно воспроизвели часть экспериментальных наблюдений по стыковке доменов в изучаемых пленках, а именно - изменение микроскопических скручиваний в области доменных стенок при удалении эпитаксиальной структуры от ее подложки.
The aim of this work was to develop a model to describe some microscopic phenomena in the epitaxial thin films based on lead zirconate PbZrO[3]. The model takes into account the epitaxial contact of the film with the substrate and conditions for mechanical compatibility of the domains. It includes contributions from pseudopolarization, elastic and domain-domain interactions as well as a contribution analogous to electrostriction in ferroelectric materials. The parameter optimization has been performed through free energy minimization with varying the magnitudes of elastic displacements and the pseudopolarization vectors. The results obtained qualitatively reproduced a part of the experimental observations on the domain matching in the thin films, to be exact, the change in microscopic twisting in the domain wall regions when removing the epitaxial structure away from the substrate.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
