Details

Title Трансформация морфологии тонких пленок никеля и циркония на естественно окисленных кремниевых подложках при отжиге в вакууме = Modification of morphology of thin nickel and zirconium films on naturally oxidized silicon substrates by annealing in vacuum // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2025. – Т. 18, № 4. — С. 139-150
Creators Нгуен В. Т. А. ; Габдуллин П. Г. ; Архипов А. В.
Imprint 2025
Collection Общая коллекция
Subjects Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; морфология тонких пленок ; никель ; цирконий ; кремниевые подложки ; островковые пленки (физика) ; термический деветтинг ; вакуумный отжиг ; thin film morphology ; nickel ; zirconium ; silicon substrates ; island films (physics) ; thermal dewetting ; vacuum annealing
UDC 539.2
LBC 22.37
Document type Article, report
Language Russian
DOI 10.18721/JPM.18410
Rights Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Additionally New arrival
Record key RU\SPSTU\edoc\78726
Record create date 4/24/2026

Allowed Actions

Read Download (1.5 Mb)

Group Anonymous
Network Internet

В статье представлена технология получения островковых пленок никеля на поверхности окисленных кремниевых подложек методом термического деветтинга (агломерации) сплошных покрытий. Вначале сплошные пленки никеля толщиной 5 нм наносились на подложки методом магнетронного напыления. Затем, без выноса на атмосферу, производился отжиг покрытий в вакууме при температуре 450 C продолжительностью от 15 мин до 3 ч. Результатом этого было формирование на подложке изолированных металлических островков с поперечными размерами от единиц до десятков нанометров, в зависимости от времени отжига. Были определены электрические и термоэлектрические характеристики полученных островковых пленок. Попытки приготовления островковых пленок циркония с использованием той же методики не принесли успеха, так как технически реализуемая температура отжига 650 C оказалась недостаточной для агломерации покрытий из этого материала.

The article presents a technique for fabricating nickel island films on oxidized silicon substrates by thermal dewetting of continuous coatings. First, continuous nickel films 5 nm thick were deposited by magnetron sputtering. Then, without exposure to the atmosphere, the coatings were annealed in a vacuum at 450 C for 15-180 min. As a result, the formation of isolated metal islands was on the substrate with transverse dimensions from units to tens of nanometers, depending on the annealing time. The electrical and thermoelectrical characteristics of the produced island films were determined. Attempts to prepare zirconium island films using the same technique were unsuccessful as the technically available annealing temperature of 650 C proved insufficient for dewetting of coatings made of this material.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet All
Access count: 14
Last 30 days: 14
Detailed usage statistics