Details

В работе синтезирован и изучен непрямозонный полупроводник Mg[2]Si, сформированный в виде поликристаллической пленки толщиной 682 нм. Силицидообразование установлено методами комбинационного рассеяния света и ИК-Фурье спектроскопии. С помощью рентгенофазового анализа определено преобладание в образце кристаллографического направления Mg[2]Si (220). На основе измерений эффекта Холла был доказан электронный тип проводимости пленки. Из пленки были изготовлены фотодиодные структуры с p-n-переходами Al/Mg[2]Si/Si-n/Au-Sb и Au/Mg[2]Si/Si-n/Au-Sb. Измерены и проанализированы их вольтамперные характеристики. Установлены зависимости фотоотклика структур от длины волны излучения, знака и величины приложенного потенциала; выявлены их особенности. Анализ полученных экспериментальных данных показал, что при высокотемпературном отжиге кремния в нем формируется двойной p-n-переход с запорным слоем, который вместе с гетеропереходом Mg[2]Si/Si-p определяет уникальные фотоспектральные характеристики.

In this work, an indirect-gap semiconductor Mg[2]Si has been synthesized and studied. Mg[2]Si was formed as a 682 nm thick polycrystalline film (the formation was established using Raman scattering and Fourier-transform IR spectroscopies). X-ray phase analysis revealed that the Mg[2]Si (220) crystallographic direction in the sample was predominant. Based on the Hall effect measurements, the electronic type of the film conductivity was proven. Photodiode structures with Al/Mg[2]Si/Si-n/Au-Sb and Au/Mg[2]Si/Si-n/Au-Sb p-n junctions were made from the film. Their current-voltage characteristics were measured and analyzed. The dependences of the structure photoresponse on the radiation wavelength, the sign and magnitude of the applied potential were established, and their features were identified. An analysis of the obtained experimental data showed that a double p-n junction with a barrier layer was forming in the high-temperature annealing of silicon. This junction, together with the Mg[2]Si/Si-p heterojunction, determined the unique photospectral characteristics of the system.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 19, № 1, 2026. — 1 файл (17 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j26-147.pdf>.