Детальная информация

In this study, the impacts of temperature on the light current-voltage characteristics of heterojunction solar cells fabricated on gallium-doped crystalline p-type silicon (c-Si) has been studied under air mass zero spectrum (136.7 mW/сm{2}) in the temperature range from 173 to 373 K. Our experimental results indicated that the short-circuit current density increased linearly with temperature, exhibiting a positive temperature coefficient of 0.058%/K, whereas the open-circuit voltage (V[ос]) decreased linearly. From the experiment, the calculated temperature coefficient value of the V[ос] was found to be -0.182%/K. Both the maximum output power and conversion efficiency of the heterojunction solar cells increased linearly with decreasing temperature from 373 K, reaching peak values of ~29.5 mW/cm{2} and ~21.5% at 173 K. The temperature coefficient of the maximum output power was evaluated to be -0.2%/K, which represents one of the record-breaking small values reported among SCs based on other single c-Si technologies.

В работе исследовано влияние температуры на световые вольтамперные характеристики гетероструктурных солнечных элементов (изготовлены на кремнии p-типа, легированном галлием) при нулевой воздушной массе (поверхностная плотность потока энергии 136,7 мВт/см{2}) в температурном диапазоне 173 - 373 K. Экспериментальные результаты показали, что плотность тока короткого замыкания линейно возрастает с повышением температуры, демонстрируя положительный температурный коэффициент 0,058%/K, тогда как напряжение холостого хода V[ос] линейно снижается. Температурный коэффициент V[ос], рассчитанный по результатам эксперимента, составил -0,182%/K. Максимальная выходная мощность и коэффициент преобразования гетероструктурных солнечных элементов линейно увеличивались при понижении температуры от 373 K, достигая максимальных значений (около 29,5 мВт/см{2} и 21,5% при 173 K). Согласно оценке, температурный коэффициент максимальной выходной мощности составил всего -0,2%/K, что является одним из рекордно малых значений для солнечных элементов на основе других технологий монокристаллического кремния.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 19, № 1, 2026. — 1 файл (17 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j26-147.pdf>.