Details
| Title | Temperature effects on the light current-voltage characteristics of the heterojunction solar cells fabricated on gallium-doped silicon substrates = Влияние температуры на световые вольтамперные характеристики гетероструктурных солнечных элементов, изготовленных на подложках кремния, легированного галлием // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2026. – Т. 19, № 1. — С. 30-42 |
|---|---|
| Creators | Ataboev O. K. ; Utamuradova Sh. B. ; Terukov E. I. ; Baranov A. I. ; Iniyatova K. Kh. |
| Imprint | 2026 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Энергетика ; Энергетические ресурсы ; Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; solar cells ; heterostructural elements ; light volt-ampere characteristics ; silicon substrates ; gallium doping ; monocrystalline silicon ; temperature dependence ; солнечные элементы ; гетероструктурные элементы ; световые вольтамперные характеристики ; кремниевые подложки ; легирование галлием ; монокристаллический кремний ; температурная зависимость |
| UDC | 620.91/.98 ; 539.2 |
| LBC | 31.15 ; 22.37 |
| Document type | Article, report |
| Language | English |
| DOI | 10.18721/JPM.19103 |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Additionally | New arrival |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\78738 |
| Record create date | 4/24/2026 |
In this study, the impacts of temperature on the light current-voltage characteristics of heterojunction solar cells fabricated on gallium-doped crystalline p-type silicon (c-Si) has been studied under air mass zero spectrum (136.7 mW/сm{2}) in the temperature range from 173 to 373 K. Our experimental results indicated that the short-circuit current density increased linearly with temperature, exhibiting a positive temperature coefficient of 0.058%/K, whereas the open-circuit voltage (V[ос]) decreased linearly. From the experiment, the calculated temperature coefficient value of the V[ос] was found to be -0.182%/K. Both the maximum output power and conversion efficiency of the heterojunction solar cells increased linearly with decreasing temperature from 373 K, reaching peak values of ~29.5 mW/cm{2} and ~21.5% at 173 K. The temperature coefficient of the maximum output power was evaluated to be -0.2%/K, which represents one of the record-breaking small values reported among SCs based on other single c-Si technologies.
В работе исследовано влияние температуры на световые вольтамперные характеристики гетероструктурных солнечных элементов (изготовлены на кремнии p-типа, легированном галлием) при нулевой воздушной массе (поверхностная плотность потока энергии 136,7 мВт/см{2}) в температурном диапазоне 173 - 373 K. Экспериментальные результаты показали, что плотность тока короткого замыкания линейно возрастает с повышением температуры, демонстрируя положительный температурный коэффициент 0,058%/K, тогда как напряжение холостого хода V[ос] линейно снижается. Температурный коэффициент V[ос], рассчитанный по результатам эксперимента, составил -0,182%/K. Максимальная выходная мощность и коэффициент преобразования гетероструктурных солнечных элементов линейно увеличивались при понижении температуры от 373 K, достигая максимальных значений (около 29,5 мВт/см{2} и 21,5% при 173 K). Согласно оценке, температурный коэффициент максимальной выходной мощности составил всего -0,2%/K, что является одним из рекордно малых значений для солнечных элементов на основе других технологий монокристаллического кремния.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
Access count: 12
Last 30 days: 12
