Детальная информация
Название | Ионно-стимулированные процессы в полупроводниках при различной плотности каскадов смещений: автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 |
---|---|
Авторы | Карасев Платон Александрович |
Другие авторы | Титов Андрей Иванович |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
Тематика | Полупроводники — Действие ионизирующих излучений; Полупроводники — Дефекты; Полупроводники — Структура |
УДК | 537.311.322(043.3); 539.1.04(043.3) |
Тип документа | Автореферат |
Тип файла | |
Язык | Русский |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/r17-87 |
Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\50262 |
Дата создания записи | 08.12.2017 |
В работе рассмотрено формирование дефектов структуры и иных процессов, происходящих в полупроводниковых материалах при ионной бомбардировке. Для проведения анализа разработан комплексный подход, включающий в себя набор методик численного расчёта, а также взаимно дополняющие экспериментальные методы исследования. Подход позволяет при помощи корректного варьирования экспериментальных условий облучения и проведения моделирования возникающих при этом каскадов смещений разделять вклады различных механизмов в происходящие процессы. Показана важнейшая роль плотности индивидуальных каскадов смещений, создаваемых тормозящимися в твёрдом теле для всех исследованных случаев.
Количество обращений: 609
За последние 30 дней: 16