Details

Title: Ионно-стимулированные процессы в полупроводниках при различной плотности каскадов смещений: автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10
Creators: Карасев Платон Александрович
Other creators: Титов Андрей Иванович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Imprint: Санкт-Петербург, 2017
Collection: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects: Полупроводники — Действие ионизирующих излучений; Полупроводники — Дефекты; Полупроводники — Структура
UDC: 537.311.322(043.3); 539.1.04(043.3)
Document type: Author's Abstract
File type: PDF
Language: Russian
DOI: 10.18720/SPBPU/2/r17-87
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\50262

Allowed Actions: Read Download (1.1 Mb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе рассмотрено формирование дефектов структуры и иных процессов, происходящих в полупроводниковых материалах при ионной бомбардировке. Для проведения анализа разработан комплексный подход, включающий в себя набор методик численного расчёта, а также взаимно дополняющие экспериментальные методы исследования. Подход позволяет при помощи корректного варьирования экспериментальных условий облучения и проведения моделирования возникающих при этом каскадов смещений разделять вклады различных механизмов в происходящие процессы. Показана важнейшая роль плотности индивидуальных каскадов смещений, создаваемых тормозящимися в твёрдом теле для всех исследованных случаев.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Usage statistics

stat Access count: 372
Last 30 days: 6
Detailed usage statistics