Details
Title | Ионно-стимулированные процессы в полупроводниках при различной плотности каскадов смещений: автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 |
---|---|
Creators | Карасев Платон Александрович |
Other creators | Титов Андрей Иванович |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
Imprint | Санкт-Петербург, 2017 |
Collection | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
Subjects | Полупроводники — Действие ионизирующих излучений ; Полупроводники — Дефекты ; Полупроводники — Структура |
UDC | 537.311.322(043.3) ; 539.1.04(043.3) |
Document type | Author's Abstract |
File type | |
Language | Russian |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/r17-87 |
Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\50262 |
Record create date | 12/8/2017 |
В работе рассмотрено формирование дефектов структуры и иных процессов, происходящих в полупроводниковых материалах при ионной бомбардировке. Для проведения анализа разработан комплексный подход, включающий в себя набор методик численного расчёта, а также взаимно дополняющие экспериментальные методы исследования. Подход позволяет при помощи корректного варьирования экспериментальных условий облучения и проведения моделирования возникающих при этом каскадов смещений разделять вклады различных механизмов в происходящие процессы. Показана важнейшая роль плотности индивидуальных каскадов смещений, создаваемых тормозящимися в твёрдом теле для всех исследованных случаев.
Access count: 734
Last 30 days: 23