Детальная информация
Название | Исследование процесса термической диссоциации нитрида галлия при воздействии инфракрасного лазерного излучения: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 |
---|---|
Авторы | Вирко Максим Викторович |
Научный руководитель | Шретер Юрий Георгиевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
Тематика | Галлий, нитриды ; Полупроводниковые структуры ; Полупроводниковые пленки — Получение ; Генераторы квантовые — Применение |
УДК | 539.23(043.3) ; 537.311.322(043.3) ; 621.373.8(043.3) |
Тип документа | Автореферат |
Тип файла | |
Язык | Русский |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/r18-5 |
Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\51647 |
Дата создания записи | 13.02.2018 |
В диссертационной работе проведено исследование физических процессов, происходящих при отделении тонких слоев GaN от ростовой подложки применительно к задаче разработки технологии клонирования подложек GaN. Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что эффект поглощения излучения свободными носителями заряда в пленках GaN и фононами в сапфировых подложках может быть использован для отделения структур на основе GaN от ростовых подложек. Показано, что эффект нелинейного многофотонного поглощения лазерного излучения может быть использован для отделения структур на основе GaN от объемных кристаллов GaN.
Количество обращений: 630
За последние 30 дней: 14