С 17 марта 2020 г. для образовательных ресурсов Электронной библиотеки СПбПУ установлен особый режим их использования

Details

Title: Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04
Creators: Андрианов Николай Александрович
Scientific adviser: Смирнов Александр Сергеевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; АО "Светлана-Рост"
Imprint: Санкт-Петербург, 2018
Collection: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects: Плазменная обработка; Полупроводники — Травление; Триоды полупроводниковые полевые
UDC: 621.315.592(043.3); 621.794.449(043.3)
Document type: Author's Abstract
File type: PDF
Language: Russian
DOI: 10.18720/SPBPU/2/r18-57
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: Read

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе исследуются процессы плазменной обработки поверхности GaN в пост-ростовой технологии изготовления полевых HEMT транзисторов на основе гетероперехода AlGaN/GaN. Установлена ключевая роль энергии ионов в модификации поверхности HEMT структур на основе III-нитритов во время плазменных обработок, которые применяются для улучшения характеристик приборов. В работе разработан и создан методами микроэлектроники и плазменного травления планарный энергоанализатор, который позволяет проводить измерения энергий заряженных частиц непосредственно в технологических реакторах без использования камер с дифференциальной откачкой.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous Read

Document usage statistics

stat Document access count: 104
Last 30 days: 15
Detailed usage statistics