Details

Исследованы механические свойства широкозонных полупроводниковых кристаллов оксида и нитрида галлия, востребованные для развития высокочастотной и высоковольтной электроники. Обнаружено, что твердость H, определенная по данным микро- и наноиндентирования, метастабильной фазы α-Ga2O3 выше, чем термостабильной β-Ga2O3. Экспериментально определено, что при сухом трении в паре с сапфиром при равных условиях слои α-Ga2O3 менее подвержены износу (истиранию), чем β-Ga2O3. Данное отличие обусловлено более плотной упаковкой кристаллической решетки α-Ga2O3. Акустические эксперименты показали, что в квазиобъемных кристаллах GaN при деформациях ⪆ 10-8 кривая деформирования ϭ–ε имеет нелинейный характер, а амплитудные зависимости модуля упругости E и декремента упругих колебаний δ кристаллов обладают гистерезисом, что может быть обусловлено нежестким закреплением дислокаций комплексами точечных дефектов и/или развитием микротрещин в образах под нагрузкой.