Details

Title: Введение в теорию неупорядоченных систем. Локализованные состояния: учебное пособие
Creators: Кособукин Владимир Артемович
Organization: Санкт-Петербургский государственный технический университет
Imprint: Санкт-Петербург: Изд-во СПбГТУ, 2000
Electronic publication: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Subjects: Твердые тела — Физика
UDC: 539.21(075.8)
Document type: Tutorial
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.00.00; 03.00.00
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии; 030000 - Физика и астрономия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/si20-1523
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Пособие соответствует государственному образовательному стандарту по дисциплине ’’Физика твердого тела” направления 553100 “Техническая физика” бакалаврской и магистерской подготовки по специальностям 553102 “Физика и техника полупроводников” и 553104 “Физика низкоразмерных структур”. Представляет собой первую часть курса лекций "Теория неупорядоченных систем", читаемых студентам физико-технического факультета СПбГТУ параллельно с традиционным курсом "Физика твердого тела", посвященным кристаллам. Обсуждаются структура неупорядоченных твердых тел, теория состояний, локализованных на примесях и дефектах кристалла, и прыжковая проводимость по локализованным состояниям.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Оглавление
  • Глава 1. Введение в теорию неупорядоченных систем
  • Глава 2. Теория состояний, локализованных на дефектах кристалла
  • Глава 3. Структура примесной зоны в слабо легированных полупроводниках и прыжковая проводимость
  • Литература

Usage statistics

stat Access count: 1
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics