?

Детальная информация
Таблица Карточка RUSMARC
Название: Физические основы дифракционных методов и их применение для выявления и анализа дефектной структуры материалов микро- и наноэлектроники: учебное пособие
Авторы: Сорокин Лев Михайлович
Организация: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2011
Электронная публикация: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Тематика: Дифракция; Кристаллография; Электронная микроскопия; Наноструктурные материалы
УДК: 620.18(075.8); 537.874.6(075.8); 548:53(075.8)
Тип документа: Учебник
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.00.00; 28.00.00
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии; 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
DOI: 10.18720/SPBPU/2/si20-1799
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\64783

Разрешенные действия: –

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Изложены фундаментальные сведения по теоретическим основам современных дифракционных методов (просвечивающая электронная микроскопия, рентгеновская топография, рентгеновская дифрактометрия) на базе динамической теории рассеяния электронов и рентгеновских лучей в идеальных и несовершенных кристаллах, включая элементы теории изображения дефектов кристаллической решетки. Знание последней позволяет определять природу протяженных дефектов (дислокации, дефекты упаковки, частиц новой фазы, интерфейсов и других несовершенств, возникающих в объеме полупроводниковых монокристаллов, а также в гетероэпитаксиальных структурах в результате ростовых процессов и различных технологических операций в микро- и наноэлектронике). Предназначено для студентов физико-технического факультета, обучающихся по направлению магистерской подготовки 140400 «Техническая физика», специальности «Физика и техника полупроводников», «Физика структур пониженной размерности».

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ) Прочитать
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • ОГЛАВЛЕНИЕ
  • Введение
  • 1. Элементы кристаллографии
  • 2. Элементы кинематической теории рассеяния электронов
  • 3. Динамическая теория рассеяния электронов
  • 4. Контраст электронно-микроскопических изображенийдефектов кристаллической решетки
  • 5. Аналитические методы электронной микроскопии
  • 6. Основы динамической теории рассеяния рентгеновскихлучей
  • 7. Рентгеновские дифракционные методы
  • Библиографический список

Статистика использования

stat Количество обращений: 9
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика