Details
Title | Физические основы дифракционных методов и их применение для выявления и анализа дефектной структуры материалов микро- и наноэлектроники: учебное пособие |
---|---|
Creators | Сорокин Лев Михайлович |
Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
Imprint | Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2011 |
Electronic publication | Санкт-Петербург, 2020 |
Collection | Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция |
Subjects | Дифракция ; Кристаллография ; Электронная микроскопия ; Наноструктурные материалы |
UDC | 620.18(075.8) ; 537.874.6(075.8) ; 548:53(075.8) |
Document type | Tutorial |
File type | |
Language | Russian |
Speciality code (FGOS) | 16.00.00 ; 28.00.00 |
Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии ; 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/si20-1799 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\64783 |
Record create date | 12/24/2020 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
Изложены фундаментальные сведения по теоретическим основам современных дифракционных методов (просвечивающая электронная микроскопия, рентгеновская топография, рентгеновская дифрактометрия) на базе динамической теории рассеяния электронов и рентгеновских лучей в идеальных и несовершенных кристаллах, включая элементы теории изображения дефектов кристаллической решетки. Знание последней позволяет определять природу протяженных дефектов (дислокации, дефекты упаковки, частиц новой фазы, интерфейсов и других несовершенств, возникающих в объеме полупроводниковых монокристаллов, а также в гетероэпитаксиальных структурах в результате ростовых процессов и различных технологических операций в микро- и наноэлектронике). Предназначено для студентов физико-технического факультета, обучающихся по направлению магистерской подготовки 140400 «Техническая физика», специальности «Физика и техника полупроводников», «Физика структур пониженной размерности».
Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- 1. Элементы кристаллографии
- 2. Элементы кинематической теории рассеяния электронов
- 3. Динамическая теория рассеяния электронов
- 4. Контраст электронно-микроскопических изображенийдефектов кристаллической решетки
- 5. Аналитические методы электронной микроскопии
- 6. Основы динамической теории рассеяния рентгеновскихлучей
- 7. Рентгеновские дифракционные методы
- Библиографический список
Access count: 11
Last 30 days: 0