Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Изложены фундаментальные сведения по теоретическим основам современных дифракционных методов (просвечивающая электронная микроскопия, рентгеновская топография, рентгеновская дифрактометрия) на базе динамической теории рассеяния электронов и рентгеновских лучей в идеальных и несовершенных кристаллах, включая элементы теории изображения дефектов кристаллической решетки. Знание последней позволяет определять природу протяженных дефектов (дислокации, дефекты упаковки, частиц новой фазы, интерфейсов и других несовершенств, возникающих в объеме полупроводниковых монокристаллов, а также в гетероэпитаксиальных структурах в результате ростовых процессов и различных технологических операций в микро- и наноэлектронике). Предназначено для студентов физико-технического факультета, обучающихся по направлению магистерской подготовки 140400 «Техническая физика», специальности «Физика и техника полупроводников», «Физика структур пониженной размерности».
Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- 1. Элементы кристаллографии
- 2. Элементы кинематической теории рассеяния электронов
- 3. Динамическая теория рассеяния электронов
- 4. Контраст электронно-микроскопических изображенийдефектов кристаллической решетки
- 5. Аналитические методы электронной микроскопии
- 6. Основы динамической теории рассеяния рентгеновскихлучей
- 7. Рентгеновские дифракционные методы
- Библиографический список
Usage statistics
Access count: 11
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |