?

Детальная информация
Таблица Карточка RUSMARC
Название: Физика твердого тела. Равновесная статистика носителей заряда в полупроводниках: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки «Техническая физика»
Авторы: Владимирская Екатерина Владимировна; Гасумянц Виталий Эдуардович; Сидоров Валерий Георгиевич
Организация: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2010
Электронная публикация: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Тематика: Полупроводники
УДК: 537.311.322(075.8)
Тип документа: Учебник
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.00.00
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/si20-21
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\62572

Разрешенные действия: –

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Изложены теоретические сведения об энергетическом спектре электронов, статистике носителей заряда и методах вычисления концентрации электронов и дырок в полупроводниках. Представлены результаты расчетов температурных зависимостей концентрации носителей заряда в полупроводниках с конкретными значениями параметров зонного спектра и концентрации примесей. Описаны способы получения информации о параметрах полупроводника, носителей заряда и примесей из анализа этих зависимостей. Учебное пособие с таким же названием, изданное в 2000 г., в настоящем издании существенно переработано и дополнено. Предназначено для студентов, специализирующихся в различных областях экспериментальной физики, а также аспирантов, инженеров и научных работников.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Оглавление
  • Введение
  • 1. Электронные состояния дефектов в полупроводниках
  • 2. Концентрация носителей заряда в полупроводниках
  • 3. Уравнение нейтральности
  • 4. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
  • 5. Свойства силынолегированного полупроводника
  • Заключение
  • Библиографический список
  • Приложение 1. Значения некоторых физических постоянных
  • Приложение 2. Фундаментальные параметры некоторых полупроводниковых материалов
  • Приложение 3. Интегралы Ферми
  • Приложение 4. Задачи

Статистика использования

stat Количество обращений: 40
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика