Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Изложены теоретические сведения об энергетическом спектре электронов, статистике носителей заряда и методах вычисления концентрации электронов и дырок в полупроводниках. Представлены результаты расчетов температурных зависимостей концентрации носителей заряда в полупроводниках с конкретными значениями параметров зонного спектра и концентрации примесей. Описаны способы получения информации о параметрах полупроводника, носителей заряда и примесей из анализа этих зависимостей. Учебное пособие с таким же названием, изданное в 2000 г., в настоящем издании существенно переработано и дополнено. Предназначено для студентов, специализирующихся в различных областях экспериментальной физики, а также аспирантов, инженеров и научных работников.
Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- Оглавление
- Введение
- 1. Электронные состояния дефектов в полупроводниках
- 2. Концентрация носителей заряда в полупроводниках
- 3. Уравнение нейтральности
- 4. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- 5. Свойства силынолегированного полупроводника
- Заключение
- Библиографический список
- Приложение 1. Значения некоторых физических постоянных
- Приложение 2. Фундаментальные параметры некоторых полупроводниковых материалов
- Приложение 3. Интегралы Ферми
- Приложение 4. Задачи
Usage statistics
Access count: 41
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |