Детальная информация
| Название | Естественные неоднородности электрического поля и потенциала на поверхности полупроводника и в контактных структурах: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров и магистров «Техническая физика" |
|---|---|
| Авторы | Бондаренко Вячеслав Борисович ; Филимонов Алексей Владимирович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2017 |
| Электронная публикация | Санкт-Петербург, 2020 |
| Коллекция | Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция |
| Тематика | Электрическое поле ; Полупроводники — Поверхностные свойства |
| УДК | 537.311.322:539.211(075.8) |
| Тип документа | Учебник |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Код специальности ФГОС | 16.04.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/si20-571 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\63198 |
| Дата создания записи | 02.10.2020 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Соответствует содержанию рабочей программы дисциплины «Специальные вопросы физики поверхности» направления магистерской подготовки 16.04.01 «Техническая физика». Содержит изложение теории естественных неоднородностей электростатического поля на поверхности полупроводника, в рамках которой возможно определение хаотического потенциала, связанного с наличием сосредоточенного заряда в слоях обеднения у свободной поверхности и поверхностно-барьерных структур. Обсуждается влияние естественного размерного эффекта в области пространственного заряда полупроводника на электронные свойства поверхности и контактов Шотгки. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки магистров «Техническая физика», «Электроника и микроэлектроника», а также для аспирантов и специалистов, работающих в экспериментальной технической физике, может быть полезно в системах повышения квалификации, в учреждениях дополнительного профессионального образования.
Печатается по решению Совета по издательской деятельности Ученого совета Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- 1. Поверхностные состояния
- 2. Стандартная модель области пространственного заряда полупроводника
- 3. Равновесное распределение примеси и потенциала в обедненных слоях полупроводника
- 4. Пределы применимости модели распределенного заряда двойного электрического слоя у поверхности полупроводника
- 5. Естественные неоднородности электрического поля и потенциала на поверхности полупроводника при равномерном распределении легирующей примеси
- 6. Влияние дисперсии диэлектрической проницаемости при экранировании электрического поля на поверхности полупроводника
- 7. Хаотический потенциал на поверхности легированного полупроводника при равновесном распределении примеси
- 8. Хаотический потенциал на поверхности компенсированногополупроводника в условиях самоорганизации электроактивных дефектов
- 9. Плотность электронных состояний на поверхности полупроводника
- 10. Хаотический потенциал в контакгах поверхностно-барьерных структур. Естественные неоднородности высоты барьера шоттки
- Заключение
- Библиографический список
Количество обращений: 28
За последние 30 дней: 0
