| Таблица | Карточка | RUSMARC | |
|
|
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Соответствует содержанию рабочей программы дисциплины «Специальные вопросы физики поверхности» направления магистерской подготовки 16.04.01 «Техническая физика». Содержит изложение теории естественных неоднородностей электростатического поля на поверхности полупроводника, в рамках которой возможно определение хаотического потенциала, связанного с наличием сосредоточенного заряда в слоях обеднения у свободной поверхности и поверхностно-барьерных структур. Обсуждается влияние естественного размерного эффекта в области пространственного заряда полупроводника на электронные свойства поверхности и контактов Шотгки. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки магистров «Техническая физика», «Электроника и микроэлектроника», а также для аспирантов и специалистов, работающих в экспериментальной технической физике, может быть полезно в системах повышения квалификации, в учреждениях дополнительного профессионального образования.
Печатается по решению Совета по издательской деятельности Ученого совета Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
||||
| Интернет | Авторизованные пользователи |
|
||||
|
Интернет | Анонимные пользователи |
Оглавление
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- 1. Поверхностные состояния
- 2. Стандартная модель области пространственного заряда полупроводника
- 3. Равновесное распределение примеси и потенциала в обедненных слоях полупроводника
- 4. Пределы применимости модели распределенного заряда двойного электрического слоя у поверхности полупроводника
- 5. Естественные неоднородности электрического поля и потенциала на поверхности полупроводника при равномерном распределении легирующей примеси
- 6. Влияние дисперсии диэлектрической проницаемости при экранировании электрического поля на поверхности полупроводника
- 7. Хаотический потенциал на поверхности легированного полупроводника при равновесном распределении примеси
- 8. Хаотический потенциал на поверхности компенсированногополупроводника в условиях самоорганизации электроактивных дефектов
- 9. Плотность электронных состояний на поверхности полупроводника
- 10. Хаотический потенциал в контакгах поверхностно-барьерных структур. Естественные неоднородности высоты барьера шоттки
- Заключение
- Библиографический список
Статистика использования
|
|
Количество обращений: 14
За последние 30 дней: 1 Подробная статистика |