Пособие соответствует государственному образовательному стандарту дисциплин "Материаловедение", "Прикладная физика", "Современные проблемы технической физики" направления 553100 "Техническая физика" и государственному стандарту по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" "Физика твердого тела и кристаллофизика". Изложены основные представления о резонансных состояниях примесей в полупроводниках. На примере наиболее изученных в настоящее время резонансных состояний таллия в халькогенидах свинца рассмотрено влияние резонансных состояний на электрофизические свойства кристаллов, включая пиннинг уровня Ферми, резонансное рассеяние дырок в примесные состояния Т1 и связанную с ними сверхпроводимость. Пособие ориентировано на образовательные программы бакалавров, магистров и инженеров по направлениям 510400 "Физика", 550700 "Электроника и микроэлектроника", 551600 "Материаловедение и технология новых материалов", 553100 "Техническая физика" ипо специальностям 010400 "Физика", 010600 "Физика твердого тела", 200100 "Материалы и компоненты твердотельной электроники", 200200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы". Пособие может быть использовано студентами при самостоятельном изучении отдельных разделов разных курсов, при выполнении курсовых и научно-исследовательских работ.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного технического университета.

• Содержание
• Введение
• 1. Сверхпроводимость полупроводников
• 2. Физико-химические особенности соединений АІV ВVI
• 3. Энергетический спектр халькогенидов свинца
• 4. Специфика проблемы примесных состояний в соединениях АІV ВVI. Модель Костера Слэтера
• 5. Резонансные состояния примеси ТI в халькогенидах свинца
• 6. Резонансное рассеяние дырок на примеси ТI в халькогенидах свинца
• 7. Сверхпроводимость в РЬТе с примесью Т1
• Заключение
• Список литературы