Детальная информация

Название: Электроника и электротехника. Исследование эффективности InхGa1-хN/GaN светодиодов: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 140400 «Техническая физика»
Авторы: Ефремов Артем Александрович; Ребане Юрий Тоомасович; Шретер Юрий Георгиевич
Организация: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2008
Электронная публикация: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Тематика: Электроника; Электротехника; Диоды светоизлучающие
УДК: 621.382.2(075.8)
Тип документа: Учебное издание
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 14.04.00; 21.01.00; 01.08.03; 11.00.00
Группа специальностей ФГОС: 140000 - Ядерная энергетика и технологии; 210000 - Прикладная геология, горное дело, нефтегазовое дело и геодезия; 010000 - Математика и механика; 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/si21-86
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Дополнительно: Новинка

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Представлено комплексное исследование механизмов, ограничивающих эффективность InxGa1-xN/GaN светодиодов: механизм уменьшения эффективности IхGa1-хN/GaN светодиодов при увеличении рабочего тока, влияние перегрева активного слоя на эффективность светодиодов, а также влияние поглощения и рассеяния света, генерируемого в активной области, на вывод света и эффективность InxGa1-xN/GaN светодиодов.Рекомендуется студентам высших учебных заведений, обучающихся по направлениям: 140400 «Техническая физика», 210100 «Электроника и микроэлектроника» и 010803 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».Работа выполнена в рамках реализации Инновационнойобразовательной программы Санкт-Петербургского государственного политехнического университета «Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России». Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • СОДЕРЖАНИЕ
  • Введение
  • Глава 1. Исследование механизма уменьшения квантовой эффективности электролюминесценции и механизма потерь на безызлучательную рекомбинацию в InjGa^N/GaN светодиодных структурах при высоких уровнях инжекции
  • Глава 2. Исследование влияния перегрева активного слоя InxGa,.xN/GaN светодиодной структуры на эффективность голубых InxGa,_xN/GaN светодиодов.
  • Глава 3. Исследование влияния поглощения и рассеяния света, генерируемого в InxGa,.xN активной области, на вывод света из светодиодной структуры и эффективность голубого светодиода
  • Заключение
  • Литература
  • Приложение

Статистика использования

stat Количество обращений: 2
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика