Детальная информация
| Название | Электроника и электротехника. Исследование эффективности InхGa1-хN/GaN светодиодов: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 140400 «Техническая физика» |
|---|---|
| Авторы | Ефремов Артем Александрович ; Ребане Юрий Тоомасович ; Шретер Юрий Георгиевич |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2008 |
| Электронная публикация | Санкт-Петербург, 2021 |
| Коллекция | Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция |
| Тематика | Электроника ; Электротехника ; Диоды светоизлучающие |
| УДК | 621.382.2(075.8) |
| Тип документа | Учебник |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Код специальности ФГОС | 16.00.00 ; 11.00.00 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии ; 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/si21-86 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\65037 |
| Дата создания записи | 14.01.2021 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Представлено комплексное исследование механизмов, ограничивающих эффективность InxGa1-xN/GaN светодиодов: механизм уменьшения эффективности IхGa1-хN/GaN светодиодов при увеличении рабочего тока, влияние перегрева активного слоя на эффективность светодиодов, а также влияние поглощения и рассеяния света, генерируемого в активной области, на вывод света и эффективность InxGa1-xN/GaN светодиодов.Рекомендуется студентам высших учебных заведений, обучающихся по направлениям: 140400 «Техническая физика», 210100 «Электроника и микроэлектроника» и 010803 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».Работа выполнена в рамках реализации Инновационнойобразовательной программы Санкт-Петербургского государственного политехнического университета «Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России». Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.
Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
- СОДЕРЖАНИЕ
- Введение
- Глава 1. Исследование механизма уменьшения квантовой эффективности электролюминесценции и механизма потерь на безызлучательную рекомбинацию в InjGa^N/GaN светодиодных структурах при высоких уровнях инжекции
- Глава 2. Исследование влияния перегрева активного слоя InxGa,.xN/GaN светодиодной структуры на эффективность голубых InxGa,_xN/GaN светодиодов.
- Глава 3. Исследование влияния поглощения и рассеяния света, генерируемого в InxGa,.xN активной области, на вывод света из светодиодной структуры и эффективность голубого светодиода
- Заключение
- Литература
- Приложение
Количество обращений: 8
За последние 30 дней: 0
