?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Электроника и электротехника. Исследование эффективности InхGa1-хN/GaN светодиодов: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 140400 «Техническая физика»
Creators: Ефремов Артем Александрович; Ребане Юрий Тоомасович; Шретер Юрий Георгиевич
Organization: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2008
Electronic publication: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Subjects: Электроника; Электротехника; Диоды светоизлучающие
UDC: 621.382.2(075.8)
Document type: Tutorial
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.00.00; 11.00.00
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии; 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/si21-86
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\65037

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Представлено комплексное исследование механизмов, ограничивающих эффективность InxGa1-xN/GaN светодиодов: механизм уменьшения эффективности IхGa1-хN/GaN светодиодов при увеличении рабочего тока, влияние перегрева активного слоя на эффективность светодиодов, а также влияние поглощения и рассеяния света, генерируемого в активной области, на вывод света и эффективность InxGa1-xN/GaN светодиодов.Рекомендуется студентам высших учебных заведений, обучающихся по направлениям: 140400 «Техническая физика», 210100 «Электроника и микроэлектроника» и 010803 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».Работа выполнена в рамках реализации Инновационнойобразовательной программы Санкт-Петербургского государственного политехнического университета «Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России». Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • СОДЕРЖАНИЕ
  • Введение
  • Глава 1. Исследование механизма уменьшения квантовой эффективности электролюминесценции и механизма потерь на безызлучательную рекомбинацию в InjGa^N/GaN светодиодных структурах при высоких уровнях инжекции
  • Глава 2. Исследование влияния перегрева активного слоя InxGa,.xN/GaN светодиодной структуры на эффективность голубых InxGa,_xN/GaN светодиодов.
  • Глава 3. Исследование влияния поглощения и рассеяния света, генерируемого в InxGa,.xN активной области, на вывод света из светодиодной структуры и эффективность голубого светодиода
  • Заключение
  • Литература
  • Приложение

Usage statistics

stat Access count: 7
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics