Details

Title Электроника и электротехника. Исследование эффективности InхGa1-хN/GaN светодиодов: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 140400 «Техническая физика»
Creators Ефремов Артем Александрович ; Ребане Юрий Тоомасович ; Шретер Юрий Георгиевич
Organization Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2008
Electronic publication Санкт-Петербург, 2021
Collection Учебная и учебно-методическая литература ; Общая коллекция
Subjects Электроника ; Электротехника ; Диоды светоизлучающие
UDC 621.382.2(075.8)
Document type Tutorial
File type PDF
Language Russian
Speciality code (FGOS) 16.00.00 ; 11.00.00
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии ; 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/2/si21-86
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\65037
Record create date 1/14/2021

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Представлено комплексное исследование механизмов, ограничивающих эффективность InxGa1-xN/GaN светодиодов: механизм уменьшения эффективности IхGa1-хN/GaN светодиодов при увеличении рабочего тока, влияние перегрева активного слоя на эффективность светодиодов, а также влияние поглощения и рассеяния света, генерируемого в активной области, на вывод света и эффективность InxGa1-xN/GaN светодиодов.Рекомендуется студентам высших учебных заведений, обучающихся по направлениям: 140400 «Техническая физика», 210100 «Электроника и микроэлектроника» и 010803 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».Работа выполнена в рамках реализации Инновационнойобразовательной программы Санкт-Петербургского государственного политехнического университета «Развитие политехнической системы подготовки кадров в инновационной среде науки и высокотехнологичных производств Северо-Западного региона России». Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous
  • СОДЕРЖАНИЕ
  • Введение
  • Глава 1. Исследование механизма уменьшения квантовой эффективности электролюминесценции и механизма потерь на безызлучательную рекомбинацию в InjGa^N/GaN светодиодных структурах при высоких уровнях инжекции
  • Глава 2. Исследование влияния перегрева активного слоя InxGa,.xN/GaN светодиодной структуры на эффективность голубых InxGa,_xN/GaN светодиодов.
  • Глава 3. Исследование влияния поглощения и рассеяния света, генерируемого в InxGa,.xN активной области, на вывод света из светодиодной структуры и эффективность голубого светодиода
  • Заключение
  • Литература
  • Приложение

Access count: 8 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics