Детальная информация
Название | Люминесценция эпитаксиальных слоев InAs[1−x]Sb[x]: дипломная работа: 210104 |
---|---|
Авторы | Казимирский Сергей Владимирович |
Научный руководитель | Паневин Вадим Юрьевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2016 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Тематика | люминесценция; анизотропия; эпитаксиальные слои; luminescence; anisotropy; epitaxial layers |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа специалиста |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Специалитет |
Код специальности ОКСО | 210104 |
Группа специальностей ОКСО | 210000 - Электронная техника, радиотехника и связь |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-1126 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\33285 |
Дата создания записи | 12.10.2016 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена исследованию оптических явлений в полупроводниковых материалах, перспективных с точки зрения разработки новых источников излучения, работающих в среднем инфракрасном диапазоне спектра. В работе исследованы структуры с эпитаксиальными слоями InAs[1−x]Sb[x] с различным содержанием Sb (x = 0,4 и x = 0,6). Для данных структур методом фурье-спектроскопии были исследованы спектры фото- и электролюминесценции в диапазоне энергий квантов света от 70 до 600 мэВ при различных температурах в диапазоне от 8 К до 300 К и различных уровнях возбуждения. Получено удовлетворительное соответствие расчетных значений запрещенной зоны с экспериментально полученными данными. В образце InAs[0,6]Sb[0,4] исследована анизотропия поляризации рекомбинационного излучения возникающего условиях межзонного пробоя в сильном электрическом поле.
This work is devoted to the study of optical phenomena in semiconductor materials, which could be used as a basis for new detectors and radiation sources operating in the mid-infrared spectral range. We have studied the structure with InAs[1−x]Sb[x] epitaxial layers with different Sb content (x = 0,4 and x = 0,6). Experimental study was performed by means Fourier transform spectroscopy of the photo- and electroluminescence in the photon energy range from 70 to 600 meV for different temperatures from 8 K to 300 K and at different excitation levels. A satisfactory agreement between the calculated values of the band gap with the experiment data have been obtained. In the InAs[0,6]Sb[0,4] sample the polarization anisotropy of recombination radiation arising under interband breakdown in a strong electric field have been studied.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 914
За последние 30 дней: 0