Детальная информация

Проведены исследования, ориентированные на создание селективного источника терагерцового излучения. Созданы гетероструктуры GaN/AlGaNс высокоподвижным газом двумерных (2D) электронов. C помощью электрического поля достигнута высокая степень разогрева 2D-электронов (вплоть до 400 К). Исследованы спектры отражения, пропускания и эмиссии терагерцового излучения для гетероструктур GaN/AlGaN на подложке из сапфира и выявлены спектральные особенности, обусловленные 2D-электронами. Спектры отражения и пропускания исследованы также для гетероструктур с металлической решеткой на поверхности. Обсуждается возможность наблюдения эффектов, обусловленных 2D-плазмонами.

The investigations directed to creation of selective terahertz radiation emitter have been performed. The GaN/AlGaN heterostructures with high-mobility 2D electron gas have been fabricated. High degree of the 2D-electron heating (up to 400 K) have been obtained by means of lateral electric field. Spectra of the terahertz radiation reflection, transmission and emission have been studied in GaN/AlGaN heterostructure on sapphire substrate and spectral percularities due to 2D electrons have been revealed. Additionally, spectra of terahertz radiation reflection and transmission have been studied for the heterostructures with metallic grating on the surface. The possibility to observe the effects due to 2D plasmons is discussed.