С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Взаимодействие терагерцового излучения со свободными электронами и двумерными плазмонами в n-GaN: дипломная работа: 210104
Авторы: Смирнов Василий Викторович
Научный руководитель: Шалыгин Вадим Александрович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2016
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: терагерцовое излучение; эмиссия излучения; 2D-плазмоны; 2D-электроны; terahertz radiation; radiation emission; 2D-plasmons; 2D-electrons
Тип документа: Выпускная квалификационная работа специалиста
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ОКСО: 210104
Группа специальностей ОКСО: 210000 - Электронная техника, радиотехника и связь
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-1128
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Проведены исследования, ориентированные на создание селективного источника терагерцового излучения. Созданы гетероструктуры GaN/AlGaNс высокоподвижным газом двумерных (2D) электронов. C помощью электрического поля достигнута высокая степень разогрева 2D-электронов (вплоть до 400 К). Исследованы спектры отражения, пропускания и эмиссии терагерцового излучения для гетероструктур GaN/AlGaN на подложке из сапфира и выявлены спектральные особенности, обусловленные 2D-электронами. Спектры отражения и пропускания исследованы также для гетероструктур с металлической решеткой на поверхности. Обсуждается возможность наблюдения эффектов, обусловленных 2D-плазмонами.

The investigations directed to creation of selective terahertz radiation emitter have been performed. The GaN/AlGaN heterostructures with high-mobility 2D electron gas have been fabricated. High degree of the 2D-electron heating (up to 400 K) have been obtained by means of lateral electric field. Spectra of the terahertz radiation reflection, transmission and emission have been studied in GaN/AlGaN heterostructure on sapphire substrate and spectral percularities due to 2D electrons have been revealed. Additionally, spectra of terahertz radiation reflection and transmission have been studied for the heterostructures with metallic grating on the surface. The possibility to observe the effects due to 2D plasmons is discussed.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 528
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика