Details
| Title | Взаимодействие терагерцового излучения со свободными электронами и двумерными плазмонами в n-GaN: дипломная работа: 210104 |
|---|---|
| Creators | Смирнов Василий Викторович |
| Scientific adviser | Шалыгин Вадим Александрович |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2016 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | терагерцовое излучение ; эмиссия излучения ; 2D-плазмоны ; 2D-электроны ; terahertz radiation ; radiation emission ; 2D-plasmons ; 2D-electrons |
| Document type | Specialist graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Specialist |
| Speciality code (OKSO) | 210104 |
| Speciality group (OKSO) | 210000 - Электронная техника, радиотехника и связь |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-1128 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\33304 |
| Record create date | 10/13/2016 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Проведены исследования, ориентированные на создание селективного источника терагерцового излучения. Созданы гетероструктуры GaN/AlGaNс высокоподвижным газом двумерных (2D) электронов. C помощью электрического поля достигнута высокая степень разогрева 2D-электронов (вплоть до 400 К). Исследованы спектры отражения, пропускания и эмиссии терагерцового излучения для гетероструктур GaN/AlGaN на подложке из сапфира и выявлены спектральные особенности, обусловленные 2D-электронами. Спектры отражения и пропускания исследованы также для гетероструктур с металлической решеткой на поверхности. Обсуждается возможность наблюдения эффектов, обусловленных 2D-плазмонами.
The investigations directed to creation of selective terahertz radiation emitter have been performed. The GaN/AlGaN heterostructures with high-mobility 2D electron gas have been fabricated. High degree of the 2D-electron heating (up to 400 K) have been obtained by means of lateral electric field. Spectra of the terahertz radiation reflection, transmission and emission have been studied in GaN/AlGaN heterostructure on sapphire substrate and spectral percularities due to 2D electrons have been revealed. Additionally, spectra of terahertz radiation reflection and transmission have been studied for the heterostructures with metallic grating on the surface. The possibility to observe the effects due to 2D plasmons is discussed.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 535
Last 30 days: 0
