Детальная информация

Название Оптоэлектронный сенсор водорода на основе структуры Pd-Oxide-InP: дипломная работа: 210104
Авторы Шутаев Вадим Аркадьевич
Научный руководитель Именков Альберт Николаевич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2016
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика диоды Шоттки ; водород ; сенсоры водорода ; Schottky diodes ; hydrogen ; hydrogen sensors
Тип документа Выпускная квалификационная работа специалиста
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Специалитет
Код специальности ОКСО 210104
Группа специальностей ОКСО 210000 - Электронная техника, радиотехника и связь
DOI 10.18720/SPBPU/2/v16-1129
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\33305
Дата создания записи 13.10.2016

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Созданы диоды Шоттки на основе Pd-Oxide-InP структуры с толщиной оксида от 0 до 1000Å и исследованы их электрические и фотоэлектрические свойства и чувствительность к водороду в интервале температур 90-300K. Созданные диоды Шоттки на основе Pd-Oxide-InP структуры и светодиод, излучающий на длине волны 0.9 μm, работают как оптопара для сенсора водорода. Время реакции структуры на импульсную подачу водорода составило 1-2 с, а постоянная времени спада фототока 10 с (в режиме тока короткого замыкания). Полученные структуры способны работать при комнатной температуре и низком энергопотреблении и перспективны для использования в сенсорах водорода.

In this work, we have demonstrated the application of the Pd-Oxide-InP Schottky diodes for manufacturing of the compact hydrogen sensors. Electrical and photoelectrical properties of the Pd-Oxide-InP Schottky diodes was investigated. The studies were conducted both with hydrogen and without hydrogen. Current-voltage characteristics (I-V) were investigated in the temperature range 90-300 K. The termo-tunnel mechanism of the current flow was determined from the analysis of the (I-V) characteristics variation with temperature as well as the Schottky barrier height. The Schottky diode and LED with the wavelength of 0.9 μm was used as an optocouple in the hydrogen sensor. Response time of the Schottky diode to the hydrogen switch-on was 1-2 sec with the recovery time constant equal to 10 sec (at short-circuit current regime).

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 673 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика