С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Оптоэлектронный сенсор водорода на основе структуры Pd-Oxide-InP: дипломная работа: 210104
Creators: Шутаев Вадим Аркадьевич
Scientific adviser: Именков Альберт Николаевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: диоды Шоттки; водород; сенсоры водорода; Schottky diodes; hydrogen; hydrogen sensors
Document type: Specialist graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (OKSO): 210104
Speciality group (OKSO): 210000 - Электронная техника, радиотехника и связь
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-1129
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Созданы диоды Шоттки на основе Pd-Oxide-InP структуры с толщиной оксида от 0 до 1000Å и исследованы их электрические и фотоэлектрические свойства и чувствительность к водороду в интервале температур 90-300K. Созданные диоды Шоттки на основе Pd-Oxide-InP структуры и светодиод, излучающий на длине волны 0.9 μm, работают как оптопара для сенсора водорода. Время реакции структуры на импульсную подачу водорода составило 1-2 с, а постоянная времени спада фототока 10 с (в режиме тока короткого замыкания). Полученные структуры способны работать при комнатной температуре и низком энергопотреблении и перспективны для использования в сенсорах водорода.

In this work, we have demonstrated the application of the Pd-Oxide-InP Schottky diodes for manufacturing of the compact hydrogen sensors. Electrical and photoelectrical properties of the Pd-Oxide-InP Schottky diodes was investigated. The studies were conducted both with hydrogen and without hydrogen. Current-voltage characteristics (I-V) were investigated in the temperature range 90-300 K. The termo-tunnel mechanism of the current flow was determined from the analysis of the (I-V) characteristics variation with temperature as well as the Schottky barrier height. The Schottky diode and LED with the wavelength of 0.9 μm was used as an optocouple in the hydrogen sensor. Response time of the Schottky diode to the hydrogen switch-on was 1-2 sec with the recovery time constant equal to 10 sec (at short-circuit current regime).

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 667
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics