Details
Title | Зависимость длины волны излучения и состава от параметров роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии GaAs квантовой точки в AlGaAs нитевидных нанокристаллах на подложке Si(111): магистерская диссертация: 16.04.01 |
---|---|
Creators | Резник Родион Романович |
Scientific adviser | Цырлин Георгий Эрнестович |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2016 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Subjects | Полупроводники — Кристаллы - Получение ; Наноструктурные материалы ; Полупроводниковые пленки — Получение ; нитевидные нанокристаллы ; молекулярно-пучковая эпитаксия ; threadlike nanocrystals ; molecular beam epitaxy |
UDC | 620.22-022.53:548.7(043.3) ; 539.23:621.315.592(043.3) |
Document type | Master graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Master |
Speciality code (FGOS) | 16.04.01 |
Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-2778 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\36198 |
Record create date | 2/8/2017 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
В оригинальной части дипломной работы приведены результаты исследований направленности излучения самокаталитических нитевидных нанокристаллов (ННК) типа «GaAs ННК в оболочке AlGaAs» с разной степенью легирования бериллия и исследований роста и свойств наноструктур типа «вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл», выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора.
The original part of the thesis presents the results of the work directed onto investigation of the radiation produced by self-catalitic threadlike nanocrystals (TLNC). The crystals were grown at Si(111) surface by the molecular beam epitaxe method with gold used as the catalist. They had the stucture of “GaAs TLNCs in AlGaAs shell” with varied level of doping with Be. Growth and properties of nanostructures of another type “GaAs segments in an AlGaAs TLNC” were also studied.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 706
Last 30 days: 0