Details

Title Зависимость длины волны излучения и состава от параметров роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии GaAs квантовой точки в AlGaAs нитевидных нанокристаллах на подложке Si(111): магистерская диссертация: 16.04.01
Creators Резник Родион Романович
Scientific adviser Цырлин Георгий Эрнестович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2016
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects Полупроводники — Кристаллы - Получение ; Наноструктурные материалы ; Полупроводниковые пленки — Получение ; нитевидные нанокристаллы ; молекулярно-пучковая эпитаксия ; threadlike nanocrystals ; molecular beam epitaxy
UDC 620.22-022.53:548.7(043.3) ; 539.23:621.315.592(043.3)
Document type Master graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Master
Speciality code (FGOS) 16.04.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/2/v16-2778
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\36198
Record create date 2/8/2017

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В оригинальной части дипломной работы приведены результаты исследований направленности излучения самокаталитических нитевидных нанокристаллов (ННК) типа «GaAs ННК в оболочке AlGaAs» с разной степенью легирования бериллия и исследований роста и свойств наноструктур типа «вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл», выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора.

The original part of the thesis presents the results of the work directed onto investigation of the radiation produced by self-catalitic threadlike nanocrystals (TLNC). The crystals were grown at Si(111) surface by the molecular beam epitaxe method with gold used as the catalist. They had the stucture of “GaAs TLNCs in AlGaAs shell” with varied level of doping with Be. Growth and properties of nanostructures of another type “GaAs segments in an AlGaAs TLNC” were also studied.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 706 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics