Детальная информация

Название Создание и исследование источников спонтанного излучения среднего ИК диапазона на основе узкозонных гетероструктур А3В5 методом газофазной эпитаксии: магистерская диссертация: 16.04.01
Авторы Рохин Виталий Андреевич
Научный руководитель Романов Владимир Викторович
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2016
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика Полупроводниковые гетеропереходы ; Электролюминесценция ; Полупроводниковые пленки — Получение ; Растворы твердые ; средний инфракрасный диапазон ; светоизлучающие структуры ; mid-infrared range ; light emitting structures
УДК 539.23:621.315.592(043.3) ; 537.311.322(043.3)
Тип документа Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Магистратура
Код специальности ФГОС 16.04.01
Группа специальностей ФГОС 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI 10.18720/SPBPU/2/v16-2779
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\36200
Дата создания записи 08.02.2017

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Данная работа посвящена получению многокомпонентных твердых растворов системы In-As-Sb-P и созданию на их основе светодиодных структур излучающих на длине волны 4.2 мкм методом МОГФЭ. Были найдены нужные условия роста твердых растворов гетероперехода InAsSb/InAsSbP. На основе данного гетероперехода были созданы светодиодные структуры и исследованы их электрические и электролюминесцентные свойства.

The presented work describes the process of metalorganic vapour phase epitaxy of multicomponent In-As-Sb-P solid solutions that serve as the basis for fabrication of light-emitting structures with radiation wavelength 4.2 mm. Film growth conditions were selected to produce InAsSb/InAsSbP heterojunctions that were further used to build light-emitting diode structures. Electrical and electroluminescent properties of these structures were investigated.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 546 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика