Детальная информация
| Название | Создание и исследование источников спонтанного излучения среднего ИК диапазона на основе узкозонных гетероструктур А3В5 методом газофазной эпитаксии: магистерская диссертация: 16.04.01 |
|---|---|
| Авторы | Рохин Виталий Андреевич |
| Научный руководитель | Романов Владимир Викторович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2016 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | Полупроводниковые гетеропереходы ; Электролюминесценция ; Полупроводниковые пленки — Получение ; Растворы твердые ; средний инфракрасный диапазон ; светоизлучающие структуры ; mid-infrared range ; light emitting structures |
| УДК | 539.23:621.315.592(043.3) ; 537.311.322(043.3) |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Магистратура |
| Код специальности ФГОС | 16.04.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-2779 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\36200 |
| Дата создания записи | 08.02.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена получению многокомпонентных твердых растворов системы In-As-Sb-P и созданию на их основе светодиодных структур излучающих на длине волны 4.2 мкм методом МОГФЭ. Были найдены нужные условия роста твердых растворов гетероперехода InAsSb/InAsSbP. На основе данного гетероперехода были созданы светодиодные структуры и исследованы их электрические и электролюминесцентные свойства.
The presented work describes the process of metalorganic vapour phase epitaxy of multicomponent In-As-Sb-P solid solutions that serve as the basis for fabrication of light-emitting structures with radiation wavelength 4.2 mm. Film growth conditions were selected to produce InAsSb/InAsSbP heterojunctions that were further used to build light-emitting diode structures. Electrical and electroluminescent properties of these structures were investigated.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 546
За последние 30 дней: 0
