С 17 марта 2020 г. для образовательных ресурсов Электронной библиотеки СПбПУ установлен особый режим их использования

Details

Title: Создание и исследование источников спонтанного излучения среднего ИК диапазона на основе узкозонных гетероструктур А3В5 методом газофазной эпитаксии: магистерская диссертация: 16.04.01
Creators: Рохин Виталий Андреевич
Scientific adviser: Романов Владимир Викторович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Полупроводниковые гетеропереходы; Электролюминесценция; Полупроводниковые пленки — Получение; Растворы твердые; средний инфракрасный диапазон; светоизлучающие структуры; mid-infrared range; light emitting structures
UDC: 539.23:621.315.592(043.3); 537.311.322(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-2779
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена получению многокомпонентных твердых растворов системы In-As-Sb-P и созданию на их основе светодиодных структур излучающих на длине волны 4.2 мкм методом МОГФЭ. Были найдены нужные условия роста твердых растворов гетероперехода InAsSb/InAsSbP. На основе данного гетероперехода были созданы светодиодные структуры и исследованы их электрические и электролюминесцентные свойства.

The presented work describes the process of metalorganic vapour phase epitaxy of multicomponent In-As-Sb-P solid solutions that serve as the basis for fabrication of light-emitting structures with radiation wavelength 4.2 mm. Film growth conditions were selected to produce InAsSb/InAsSbP heterojunctions that were further used to build light-emitting diode structures. Electrical and electroluminescent properties of these structures were investigated.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Document usage statistics

stat Document access count: 542
Last 30 days: 3
Detailed usage statistics