В данной работе проведены исследования изменения химического состояния поверхностных атомов антимонида галлия после проведения пассивации в сульфидных растворах при различных условиях. Проведены эксперименты по определению влияния выдержки на воздухе и прогрева в вакууме на пассивирующие свойства поверхности. Для определения химического состояния атомов был использован метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, реализованный в установке НаноФаб-25. Показано, что химическая пассивация является эффективным методом удаления поверхностных оксидов. Найдены оптимальные условия проведения пассивации в сульфидных растворах. Обнаружено, что при прогреве удаляются поверхностные оксиды и сульфиды сурьмы, но при этом увеличивается количество оксидов галлия. Определено, что пассивирующие свойства поверхности сохраняются в течение часа выдержки на воздухе. Целью дальнейших исследований является более точное определение эффективного времени пассивации и температуры прогрева образца в условиях вакуума после пассивации и до следующей технологической операции. Также, необходимо провести сравнение полученных результатов с результатами других исследований: изменение pH реакции, изменение фотолюминесценции и изменение морфологии поверхности после проведения пассивации.