Детальная информация

Название Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов Si/ZnxCd1-xTe c пленкой ZnxCd1-xTe, легированной донорной примесью: бакалаврская работа: 11.03.04
Авторы Коровина Мария Алексеевна
Научный руководитель Зыков Валерий Андреевич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2016
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика гетероструктуры ; фотоэлектрические параметры ; пленки (твердотельная электроника) ; heterostructures ; photovoltaic parameters ; film (solid state electronics)
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 11.03.04
Группа специальностей ФГОС 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/2/v16-346
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\32131
Дата создания записи 10.08.2016

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Работа посвящена изготовлению и исследованию свойств гетероструктур Si-ZnxCd1-xTe. Исследуется влияние цинка на фотоэлектрические параметры. Обоснована методика изготовления структур, приведены примеры напыления плёнок твердого раствора. Описана методика исследования электрических и фотоэлектрических свойств структур. Приводятся данные экспериментального исследования.

The paper is dedicated to the manufacture and study of the electrical properties of heterostructures Si-ZnxCd1-xTe. The effect of Zn on the electrical properties is studied, the technique of manufacturing structures is substantiated, the parameters of film evaporation of solid solution are given. The technique for the study of photoelectrical parameters of the structures is described. The data of experimental investigations of the spectral distribution of sensitivity in the heterostructure are given.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 495 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика