?
С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details
Table Card RUSMARC
Title: Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов Si/ZnxCd1-xTe c пленкой ZnxCd1-xTe, легированной донорной примесью: бакалаврская работа: 11.03.04
Creators: Коровина Мария Алексеевна
Scientific adviser: Зыков Валерий Андреевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: гетероструктуры; фотоэлектрические параметры; пленки (твердотельная электроника); heterostructures; photovoltaic parameters; film (solid state electronics)
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-346
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа посвящена изготовлению и исследованию свойств гетероструктур Si-ZnxCd1-xTe. Исследуется влияние цинка на фотоэлектрические параметры. Обоснована методика изготовления структур, приведены примеры напыления плёнок твердого раствора. Описана методика исследования электрических и фотоэлектрических свойств структур. Приводятся данные экспериментального исследования.

The paper is dedicated to the manufacture and study of the electrical properties of heterostructures Si-ZnxCd1-xTe. The effect of Zn on the electrical properties is studied, the technique of manufacturing structures is substantiated, the parameters of film evaporation of solid solution are given. The technique for the study of photoelectrical parameters of the structures is described. The data of experimental investigations of the spectral distribution of sensitivity in the heterostructure are given.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Document usage statistics

stat Document access count: 488
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics