Details
| Title | Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов Si/ZnxCd1-xTe c пленкой ZnxCd1-xTe, легированной донорной примесью: бакалаврская работа: 11.03.04 |
|---|---|
| Creators | Коровина Мария Алексеевна |
| Scientific adviser | Зыков Валерий Андреевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2016 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | гетероструктуры ; фотоэлектрические параметры ; пленки (твердотельная электроника) ; heterostructures ; photovoltaic parameters ; film (solid state electronics) |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 11.03.04 |
| Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-346 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\32131 |
| Record create date | 8/10/2016 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Работа посвящена изготовлению и исследованию свойств гетероструктур Si-ZnxCd1-xTe. Исследуется влияние цинка на фотоэлектрические параметры. Обоснована методика изготовления структур, приведены примеры напыления плёнок твердого раствора. Описана методика исследования электрических и фотоэлектрических свойств структур. Приводятся данные экспериментального исследования.
The paper is dedicated to the manufacture and study of the electrical properties of heterostructures Si-ZnxCd1-xTe. The effect of Zn on the electrical properties is studied, the technique of manufacturing structures is substantiated, the parameters of film evaporation of solid solution are given. The technique for the study of photoelectrical parameters of the structures is described. The data of experimental investigations of the spectral distribution of sensitivity in the heterostructure are given.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 495
Last 30 days: 0
