Details

Title: Исследование транспортных свойств наногетероструктур на основе AlGaN методом локальной катодолюминесценции: бакалаврская работа: 16.03.01
Creators: Чегодаев Антон Дмитриевич
Scientific adviser: Местер А. Ю.
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: наноразмерные гетероструктуры; катодолюминесценция; структуры AlGaN; nanoscale heterostructures; cathodoluminescence; AlGaN structures
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-356
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\32147

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа заключалась в исследовании транспортных свойств двух структур на основе AlGaN методом катодолюминесценции. Контроль качества структур проводился методом просвечивающей электронной микроскопии. Проводилось моделирование процессов транспорта носителей. Было показано, что в исследованных образцах диффузия носителей заряда оказывает существенный вклад в катодолюминесценцию квантовой ямы. Также было показано, что эффективность диффузии носителей заряда из верхнего волноводного слоя заметно хуже, чем из нижнего волноводного слоя.

The aim of the research was to study transport properties of two heterostructures based on AlGaN by cathodoluminescence technique. Transport processes of charge carriers was simulated. It has been shown that the diffusion of carriers in these samples exerts a significant contribution to the quantum well cathodoluminescence. It was also shown that the efficiency of diffusion of charge carriers from the upper waveguide layer is considerably worse thanthat of the lower waveguide layer.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
External organizations N2 All Read
External organizations N1 All
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU, N2) Read
Internet Authorized users (not from SPbPU, N1)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 323
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics