С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Поглощение излучения свободными электронами в эпитаксиальных слоях GaN в электрическом поле: бакалаврская работа: 16.03.01
Creators: Юрков Константин Константинович
Scientific adviser: Балагула Роман Михайлович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: терагерцовое излучение; нитрид галлия; свободные электроны; terahertz radiation; gallium nitride; free electrons
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-358
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной работе исследовалось изменение поглощения излучения терагерцового диапазона в эпитаксиальных слоях нитрида галлия в электрическом поле. В зависимости от поляризации излучения наблюдались различные зависимости модуляции поглощения от приложенного поля. Совместный анализ оптических и электрических измерений позволил получить полевые зависимости подвижности, концентрации электронов и сечения поглощения. Для излучения, поляризованного перпендикулярно приложенному полю, полученные результаты хорошо согласуются с моделью Друде, описывающей поглощение на свободных электронах. В случае, когда излучение поляризовано вдоль приложенного поля, наблюдаются значительные отклонения от модели Друде, требующие более тщательного изучения.

Variation of absorption of terahertz radiation in lateral electric field was investigated in GaN epitaxial layers. Different behaviour of the absorption modulation in electric field was observed for radiation polarized along electric field and perpendicular to it. Joint analysis of optical and transport measurements let us obtain field dependencies of mobility, electron concentration and absorption cross-section. For terahertz radiation polarized perpendicular to the electric field, results are in accordance with Drude model of free electron absorption. Another polarization demonstrates significant deviation that is yet to be studied more thoroughly.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 357
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics