Детальная информация
Название | Особенности формирования мод в полупроводниковых лазерах с широким оптическим волноводом: бакалаврская работа: 11.03.04 |
---|---|
Авторы | Серин Артем Александрович |
Научный руководитель | Паюсов Алексей Сергеевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2016 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Тематика | полупроводниковые лазеры; оптические волноводы; semiconductor lasers; optical waveguides |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Бакалавриат |
Код специальности ФГОС | 11.03.04 |
Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-360 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\32123 |
Дата создания записи | 09.08.2016 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Работа посвящена исследованию особенностей формирования оптических мод в полупроводниковых лазерных диодах с широким оптическим волноводом. Рассматривается простая модель поглощения на неравновесных носителях, позволяющая объяснить переключение лазерной генерации с возбужденной на фундаментальную моду при росте плотности тока или температуры в торцевых лазерах с широким оптическим волноводом. Приведены экспериментальные данные, которые находятся в согласии с моделью. Результаты работы показывают, что поглощение на свободных носителях оказывает существенное влияние на формирование оптических мод в широких волноводах мощных торцевых лазеров.
The thesis discusses mode forming in large optical waveguides of semiconductor laser diodes. Simple model of free carrier absorption is considered to clarify lasing switch from high-order to fundamental mode in large optical cavity of edge emitting diode with current or temperature increase. Experimental data are shown to be in agreement with the model. Results show that free carrier absorption has significant impact on mode forming in large optical cavities of high power laser diodes.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 153
За последние 30 дней: 0