Проведено исследование эффектов каналирования и объёмного отражения 1 ГэВ протонов в изогнутом кристалле кремния. Кристалл был изготовлен из монокристаллического кремния, атомные (111) плоскости были изогнуты за счёт упругоквазимозаичного эффекта, что позволило уменьшить длину кристалла по пучку до 30 мкм, тем самым существенно понизив вклад от многократного малоуглового рассеяния. Измерены эффективности каналирования и объемного отражения, их значения равны и соответственно. Угол отклонения каналированных частиц обусловлен углом изгиба плоскостей (111) и равен мкрад. Угол отклонения объемно отраженных частиц найден равным мкрад.В ходе работы была существенно улучшена экспериментальная установка, что позволило обеспечить необходимые условия для изучения других кристаллов и развития кристаллооптических технологий управления пучками заряженных частиц высоких энергий.

Channeling and volume reflection effects in bent silicon crystal were studied with 1 GeV proton beam. The crystal was made of single crystal silicon, the (111) atomic planes were bent owing to elastic quasimosaicity effect, which made it possible to reduce the crystal length along beam to 30 to minimize multiple scattering. The efficiencies of channeling and volume reflection were found to be equal to and respectively. The deflection angle of channeled protons was resulted from bending angle of (111) atomic planes and is equal to. The deflection angle of volume reflected protons was found to be. The works has greatly improved experimental setup and provide the necessary conditions for studying other crystals and development of crystal technologies to control high-energy charged particle beams.