Details

Title: Исследование возможности усиления фототока в гетероструктурах II - типа на основе узкозонных полупроводников А3В5: бакалаврская работа: 11.03.04
Creators: Глотов Андрей Юрьевич
Scientific adviser: Сидоров Валерий Георгиевич; Коновалов Глеб Георгиевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2017
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: фототоки; гетероструктуры; фотоэлектрические характеристики; фотоны; обратное напряжение
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-2751
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Исследовано усиление фототока в наногетероструктуре n-GaSb/InAs/p-GaSb. Получены вольт-амперные, вольт-фарадные и фотоэлектрические характеристики при температуре Т = 77 К. Получено напряжение отсечки Uотс = 0.42 В. Максимум фотоответа наблюдался при длине волны света 1.5 мкм, что соответствует фотонам с энергией равной энергии ширины запрещенной зоны GaSb. Усиление фототока начиналось со значений обратного напряжения U = -0.05 В.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 492
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics