Details

Title Исследование возможности усиления фототока в гетероструктурах II - типа на основе узкозонных полупроводников А3В5: бакалаврская работа: 11.03.04
Creators Глотов Андрей Юрьевич
Scientific adviser Сидоров Валерий Георгиевич ; Коновалов Глеб Георгиевич
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2017
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects фототоки ; гетероструктуры ; фотоэлектрические характеристики ; фотоны ; обратное напряжение
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 11.03.04
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/2/v17-2751
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\40222
Record create date 8/24/2017

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Исследовано усиление фототока в наногетероструктуре n-GaSb/InAs/p-GaSb. Получены вольт-амперные, вольт-фарадные и фотоэлектрические характеристики при температуре Т = 77 К. Получено напряжение отсечки Uотс = 0.42 В. Максимум фотоответа наблюдался при длине волны света 1.5 мкм, что соответствует фотонам с энергией равной энергии ширины запрещенной зоны GaSb. Усиление фототока начиналось со значений обратного напряжения U = -0.05 В.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 492 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics