Ганбарова, Татьяна Шахиновна. Электрофизические свойства метаморфных структур с КЯ InAs/In₀.₇₅Ga₀.₂₅As/In₀.₇₅Al₀.₂₅As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 16.04.01 / Т. Ш. Ганбарова; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. С. А. Рыков, Т. А. Комиссарова. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2,26 МБ). — Санкт-Петербург, 2017. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v17-2768.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-2768>.
|
Период
|
Чтение
|
Печать
|
Копирование
|
Открытие
|
Итого
|
|
Год 2017
|
Квартал 3
|
13
|
0
|
25
|
0
|
38
|
|
Квартал 4
|
16
|
0
|
50
|
0
|
66
|
|
Год 2018
|
Квартал 1
|
13
|
0
|
54
|
0
|
67
|
|
Квартал 2
|
17
|
0
|
105
|
0
|
122
|
|
Квартал 3
|
11
|
0
|
54
|
0
|
65
|
|
Квартал 4
|
10
|
0
|
34
|
0
|
44
|
|
Год 2019
|
Квартал 1
|
2
|
0
|
21
|
0
|
23
|
|
Квартал 2
|
7
|
0
|
31
|
0
|
38
|
|
Квартал 3
|
2
|
0
|
24
|
0
|
26
|
|
Квартал 4
|
2
|
0
|
79
|
0
|
81
|
|
Год 2020
|
Квартал 1
|
7
|
0
|
38
|
0
|
45
|
|
Квартал 2
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Квартал 3
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Квартал 4
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Год 2021
|
Квартал 1
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Квартал 2
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Квартал 3
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Квартал 4
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
|
Всего
|
100
|
0
|
516
|
0
|
616
|
