Представлены результаты исследований динамики заселенности состояний квантовых точек Ge/Si неравновесными дырками. Исследована зависимость от температуры динамики фотоиндуцированного поглощения в средней ИК области, связанного с неравновесными носителями заряда при разной интенсивности накачки, а также спад межзонной фотопроводимости неравновесных носителей заряда при разных температурах и интенсивностях накачки.