Details

Title: Исследование процессов медленной деградации в слоях и гетероструктурах на основе A²B⁶: магистерская диссертация: 16.04.01
Creators: Кравец Влад Андреевич
Scientific adviser: Иванова Екатерина Владимировна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2017
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Генераторы квантовые полупроводниковые; Полупроводниковые гетеропереходы; Катодолюминесценция; спектральные диапазоны
UDC: 621.373.8.038.835.5(043.3); 537.311.322(043.3); 535.376(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-2771
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\40254

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа заключалась в комплексном исследовании процесса медленной деградации трех гетероструктур на основе A²B⁶, которые перспективны для создания лазеров в сине-зеленом спектральном диапазоне. Гетероструктуры представляли собой толстые пленки ZnSe и ZnCdSe выращенные на подложке GaAs. Исследование проводилось методами катодолюминесценции, просвечивающей электронной микроскопии и рентгенодифракционного фазового анализа. Оценивались такие параметры как: геометрические размеры и состав слоев, структурное совершенство, устойчивость к деградационным процессам.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Диссертация допущена к защите
  • Д И С С Е Р Т А Ц И Я
  • М А Г И С Т Р А
    • Направление: 16.04.01 – «Техническая физика»
    • Магистерская программа: «Физика и техника полупроводников»
  • Введение
    • Свойства материалов
      • Общие свойства соединений A2B6
      • Свойства твердых растворов А2В6
      • Методы роста пленок и гетероструктур A2B6 и их особенности
    • Дефекты
      • Точечные дефекты
      • Линейные дефекты
      • Двумерные дефекты
    • Деградация
      • Общие сведения о деградации лазерных структур
      • Катастрофическая оптическая деградация
      • Образование «дефектов темных линий» (ДТЛ).
      • Медленная деградация (МД)
  • Методы исследования и образцы
    • Метод катодолюминесценции
      • Общие сведения о методекатодолюминесценции
      • КЛ установка
      • Катодолюминесценция толстых пленок
      • Методика исследования точечных дефектов
      • Исследование многослойных гетероструктур
    • Метод рентгенодифракционного фазового анализа(РДФА)
    • Метод просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ)
    • Образцы и приборы
  • Результаты и обсуждение
    • 3.1. Результаты РДФА
    • 3.2. Результаты ПЭМ
      • 3.2.1. Результаты ПЭМ до модификации
      • 3.2.2. Модификация в ПЭМ 688 образца – ZnSe/GaAs
      • 3.2.3. Модификация в ПЭМ 713 образца – ZnCdSe/GaAs
    • Результаты КЛ
      • Модификация пленок под воздействием электронного пучка
      • КЛ исследования 688 образца – ZnSe/GaAs
      • КЛ исследования 707 образца – ZnСdSe/GaAs
      • КЛ исследования 713 образца – ZnСdSe/GaAs
      • Обсуждение некоторых результатов модификации КЛ
  • Выводы
  • Благодарности
  • Список литературы

Usage statistics

stat Access count: 588
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics