Электрические и фотоэлектрические свойства структур на основе эпитаксиальных плёнок p-CdXZn₁-xTe, выращенных на Si (100) подложках: магистерская диссертация: 16.04.01

Ягунов, Александр Павлович

Details

	Table	Card	RUSMARC

Title:	Электрические и фотоэлектрические свойства структур на основе эпитаксиальных плёнок p-CdXZn₁-xTe, выращенных на Si (100) подложках: магистерская диссертация: 16.04.01
Creators:	Ягунов Александр Павлович
Scientific adviser:	Зыков Валерий Андреевич
Organization:	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint:	Санкт-Петербург, 2017
Collection:	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects:	Пленки тонкие; Полупроводниковые гетеропереходы; Солнечная энергия — Использование; Солнечные батареи; Кремний — Фотоэлектрические свойства; эпитаксиальные пленки; кремниевые подложки
UDC:	539.216.2:546.28(043.3); 537.311.322(043.3); 621.383.51(043.3)
Document type:	Master graduation qualification work
File type:	PDF
Language:	Russian
Level of education:	Master
Speciality code (FGOS):	16.04.01
Speciality group (FGOS):	160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI:	10.18720/SPBPU/2/v17-2773
Rights:	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key:	RU\SPSTU\edoc\40251

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа посвящена изготовлению и исследованию структуры, состава и электрических свойств плёнок CdXZn1-XTe на Si (100) подложке, пригодных для последующего изготовления солнечного элемента. Обоснована методика изготовления структур, оптимизированы параметры напыления плёнок. Выполнен теоретический расчёт зонных диаграмм гетероперехода Si/ CdXZn1-XTe, проанализированы механизмы токопротекания. Приводятся результаты расчёта параметров термической диффузии донорной примеси индия в плёнки CdXZn1-XTe. Определены оптимальные параметры диффузии. Экспериментально показано, что высококачественные плёнки CdXZn1-XTe на Si (100) подложке получаются при их выращивании в квазиравновесных условиях из газодинамического потока при Тконд. ≈ 350°С, а также, что введение цинка повышает качество плёнки.

Document access rights

	Network		User group		Action
	ILC SPbPU Local Network		All
	Internet		Authorized users SPbPU
	Internet		Anonymous

Usage statistics

Access count: 550
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics