Исследование буферных слоев нитридов металлов III группы методом картирования рассеянной интенсивности рентгеновских лучей в пространстве обратной решетки вблизи отражений от ассиметричных плоскостей гетероструктуры: магистерская диссертация: 11.04.04

Салаш, Мария Андреевна

С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

	Table	Card	RUSMARC

Title:	Исследование буферных слоев нитридов металлов III группы методом картирования рассеянной интенсивности рентгеновских лучей в пространстве обратной решетки вблизи отражений от ассиметричных плоскостей гетероструктуры: магистерская диссертация: 11.04.04
Creators:	Салаш Мария Андреевна
Scientific adviser:	Байдакова М. В.; Бурковский Роман Георгиевич
Organization:	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint:	Санкт-Петербург, 2017
Collection:	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects:	Металлы переходные, нитриды; Кремний, карбиды; Дифракция; Полупроводниковые гетеропереходы; Рентгеноспектральный анализ; карты обратного пространства; буферный слой
UDC:	537.311.322(043.3); 546.302'171.1(043.3); 546.281'261(043.3); 539.26(043.3)
Document type:	Master graduation qualification work
File type:	PDF
Language:	Russian
Speciality code (FGOS):	11.04.04
Speciality group (FGOS):	110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI:	10.18720/SPBPU/2/v17-3100
Rights:	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Было изучено 4 гетероструктуры методами карт обратного пространства с целью выявления особенностей начального роста буферного слоя GaN и его влияния на параметры ТВПЭ-структуры. На примере материала InGaN продемонстрированы возможности таких диагностических методов как ВИМС, ПЭМ, РСМА, РД, РЭМ для характеризации буферов.

Document access rights

	Network		User group		Action
	ILC SPbPU Local Network		All
	Internet		Authorized users
	Internet		Anonymous

Usage statistics

Access count: 420
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics