Details

Title: Исследование буферных слоев нитридов металлов III группы методом картирования рассеянной интенсивности рентгеновских лучей в пространстве обратной решетки вблизи отражений от ассиметричных плоскостей гетероструктуры: магистерская диссертация: 11.04.04
Creators: Салаш Мария Андреевна
Scientific adviser: Байдакова М. В.; Бурковский Роман Георгиевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2017
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Металлы переходные, нитриды; Кремний, карбиды; Дифракция; Полупроводниковые гетеропереходы; Рентгеноспектральный анализ; карты обратного пространства; буферный слой
UDC: 537.311.322(043.3); 546.302'171.1(043.3); 546.281'261(043.3); 539.26(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-3100
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\44775

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Было изучено 4 гетероструктуры методами карт обратного пространства с целью выявления особенностей начального роста буферного слоя GaN и его влияния на параметры ТВПЭ-структуры. На примере материала InGaN продемонстрированы возможности таких диагностических методов как ВИМС, ПЭМ, РСМА, РД, РЭМ для характеризации буферов.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 426
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics