Детальная информация

Проведено исследование процесса травления карбида кремния (SiC) и выявление основных проблем. Разработана методика исследования морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке SiC в технологии мощных СВЧ транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC. При исследовании были применены методы рентгенофазового анализа, энергодисперсной рентгеновской спектроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и анализа на атомно силовом микроскопе. Было выявлено, что на поверхности образовывается пассивирующая пленка FxNiy, а также, что процесс травления в среде Ar улучшает морфологию поверхности.