Детальная информация
| Название | Влияние особенностей конструкции многослойных гетероструктур с квантовым и ямами InGaAs/AlGaAs на фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников на их основе: бакалаврская работа: 11.03.04 |
|---|---|
| Авторы | Мищенко Марк Александрович |
| Научный руководитель | Прошин Владимир Иванович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | Детекторы ионизирующих излучений ; Полупроводниковые гетеропереходы ; средний ик-диапазон ; квантовые ямы InGaAs/AlGaAs |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 11.03.04 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-4856 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\49703 |
| Дата создания записи | 27.11.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Исследована зависимость фотоэлектрических характеристик тестовых фотоприемников, изготовленных на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/AlGaAs, от процентной доли Al в барьерных слоях активной области при температуреТ = 77 К. Увеличение содержания Al привело к снижению темновых токов, токовой чувствительности, смещению максимума спектральной чувствительности в коротковолновую область, а также сужению самого спектра. Полученные результаты иллюстрируют возможность регулировки фотоэлектрических параметров ИК-детекторов на основе QWIP-структур на этапе роста гетероструктуры.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 69
За последние 30 дней: 1
