Исследована зависимость фотоэлектрических характеристик тестовых фотоприемников, изготовленных на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/AlGaAs, от процентной доли Al в барьерных слоях активной области при температуреТ = 77 К. Увеличение содержания Al привело к снижению темновых токов, токовой чувствительности, смещению максимума спектральной чувствительности в коротковолновую область, а также сужению самого спектра. Полученные результаты иллюстрируют возможность регулировки фотоэлектрических параметров ИК-детекторов на основе QWIP-структур на этапе роста гетероструктуры.