Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Исследована зависимость фотоэлектрических характеристик тестовых фотоприемников, изготовленных на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/AlGaAs, от процентной доли Al в барьерных слоях активной области при температуреТ = 77 К. Увеличение содержания Al привело к снижению темновых токов, токовой чувствительности, смещению максимума спектральной чувствительности в коротковолновую область, а также сужению самого спектра. Полученные результаты иллюстрируют возможность регулировки фотоэлектрических параметров ИК-детекторов на основе QWIP-структур на этапе роста гетероструктуры.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
![]() ![]() ![]() |
||||
Интернет | Авторизованные пользователи |
![]() ![]() ![]() |
||||
![]() |
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
|
Количество обращений: 64
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |