Details

Title Влияние особенностей конструкции многослойных гетероструктур с квантовым и ямами InGaAs/AlGaAs на фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников на их основе: бакалаврская работа: 11.03.04
Creators Мищенко Марк Александрович
Scientific adviser Прошин Владимир Иванович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2017
Collection Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects Детекторы ионизирующих излучений; Полупроводниковые гетеропереходы; средний ик-диапазон; квантовые ямы InGaAs/AlGaAs
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 11.03.04
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/2/v17-4856
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\49703
Record create date 11/27/2017

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Исследована зависимость фотоэлектрических характеристик тестовых фотоприемников, изготовленных на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/AlGaAs, от процентной доли Al в барьерных слоях активной области при температуреТ = 77 К. Увеличение содержания Al привело к снижению темновых токов, токовой чувствительности, смещению максимума спектральной чувствительности в коротковолновую область, а также сужению самого спектра. Полученные результаты иллюстрируют возможность регулировки фотоэлектрических параметров ИК-детекторов на основе QWIP-структур на этапе роста гетероструктуры.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 68 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics