Details

Title: Влияние особенностей конструкции многослойных гетероструктур с квантовым и ямами InGaAs/AlGaAs на фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников на их основе: бакалаврская работа: 11.03.04
Creators: Мищенко Марк Александрович
Scientific adviser: Прошин Владимир Иванович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2017
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Детекторы ионизирующих излучений; Полупроводниковые гетеропереходы; средний ик-диапазон; квантовые ямы InGaAs/AlGaAs
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-4856
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Исследована зависимость фотоэлектрических характеристик тестовых фотоприемников, изготовленных на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/AlGaAs, от процентной доли Al в барьерных слоях активной области при температуреТ = 77 К. Увеличение содержания Al привело к снижению темновых токов, токовой чувствительности, смещению максимума спектральной чувствительности в коротковолновую область, а также сужению самого спектра. Полученные результаты иллюстрируют возможность регулировки фотоэлектрических параметров ИК-детекторов на основе QWIP-структур на этапе роста гетероструктуры.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 64
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics