Детальная информация

Название Спектроскопия анти-кроссинга и кросс-релаксации в центрах окраски в кристаллах алмаза и карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 03.04.02 - Физика ; 03.04.02_01 - Физика наноструктур и наноэлектроника
Авторы Бреев Илья Дмитриевич
Научный руководитель Баранов Павел Георгиевич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2018
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика Спектроскопия ; Алмазы ; Кремний, карбиды ; Квантовая магнитометрия
УДК 535.33
Тип документа Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Магистратура
Код специальности ФГОС 03.04.02
Группа специальностей ФГОС 030000 - Физика и астрономия
Ссылки Отзыв руководителя ; Рецензия
DOI 10.18720/SPBPU/2/v18-1786
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\53996
Дата создания записи 17.10.2018

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

В данной работе были проведены экспериментальные исследования спектра анти-кроссинга и кросс-релаксации V-центров в 15R-SiC. Был обнаружен большой сдвиг линий кросс-релаксации в зависимости от температуры в спектрах V-центров. Эти линии мы связываем с процессами кросс-релаксации S=3/2 V-центров и S=1 «темного» центра, расщепление в нулевом поле которого сильно зависит от температуры. Практическая значимость полученных данных заключается в том, что на линиях кросс-релаксации возможно осуществление детектирования температуры с высоким пространственным разрешением. Также в работе были изучены особенности NV-дефекта в алмазе в нулевом магнитном поле и исследована перспектива использования их для создания наноразмерных датчиков магнитного поля, работающих при комнатных температурах с возможностью использования наноразмерных материалов.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 210 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика