В данной работе были проведены экспериментальные исследования спектра анти-кроссинга и кросс-релаксации V-центров в 15R-SiC. Был обнаружен большой сдвиг линий кросс-релаксации в зависимости от температуры в спектрах V-центров. Эти линии мы связываем с процессами кросс-релаксации S=3/2 V-центров и S=1 «темного» центра, расщепление в нулевом поле которого сильно зависит от температуры. Практическая значимость полученных данных заключается в том, что на линиях кросс-релаксации возможно осуществление детектирования температуры с высоким пространственным разрешением. Также в работе были изучены особенности NV-дефекта в алмазе в нулевом магнитном поле и исследована перспектива использования их для создания наноразмерных датчиков магнитного поля, работающих при комнатных температурах с возможностью использования наноразмерных материалов.