Детальная информация
Название | Спектроскопия анти-кроссинга и кросс-релаксации в центрах окраски в кристаллах алмаза и карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 03.04.02 - Физика ; 03.04.02_01 - Физика наноструктур и наноэлектроника |
---|---|
Авторы | Бреев Илья Дмитриевич |
Научный руководитель | Баранов Павел Георгиевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Тематика | Спектроскопия ; Алмазы ; Кремний, карбиды ; Квантовая магнитометрия |
УДК | 535.33 |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Магистратура |
Код специальности ФГОС | 03.04.02 |
Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
Ссылки | Отзыв руководителя ; Рецензия |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-1786 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\53996 |
Дата создания записи | 17.10.2018 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
В данной работе были проведены экспериментальные исследования спектра анти-кроссинга и кросс-релаксации V-центров в 15R-SiC. Был обнаружен большой сдвиг линий кросс-релаксации в зависимости от температуры в спектрах V-центров. Эти линии мы связываем с процессами кросс-релаксации S=3/2 V-центров и S=1 «темного» центра, расщепление в нулевом поле которого сильно зависит от температуры. Практическая значимость полученных данных заключается в том, что на линиях кросс-релаксации возможно осуществление детектирования температуры с высоким пространственным разрешением. Также в работе были изучены особенности NV-дефекта в алмазе в нулевом магнитном поле и исследована перспектива использования их для создания наноразмерных датчиков магнитного поля, работающих при комнатных температурах с возможностью использования наноразмерных материалов.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 210
За последние 30 дней: 0