С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Спектроскопия анти-кроссинга и кросс-релаксации в центрах окраски в кристаллах алмаза и карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 03.04.02 - Физика ; 03.04.02_01 - Физика наноструктур и наноэлектроника
Creators: Бреев Илья Дмитриевич
Scientific adviser: Баранов Павел Георгиевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2018
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Спектроскопия; Алмазы; Кремний, карбиды; Квантовая магнитометрия
UDC: 535.33
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 03.04.02
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Links: Отзыв руководителя; Рецензия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-1786
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной работе были проведены экспериментальные исследования спектра анти-кроссинга и кросс-релаксации V-центров в 15R-SiC. Был обнаружен большой сдвиг линий кросс-релаксации в зависимости от температуры в спектрах V-центров. Эти линии мы связываем с процессами кросс-релаксации S=3/2 V-центров и S=1 «темного» центра, расщепление в нулевом поле которого сильно зависит от температуры. Практическая значимость полученных данных заключается в том, что на линиях кросс-релаксации возможно осуществление детектирования температуры с высоким пространственным разрешением. Также в работе были изучены особенности NV-дефекта в алмазе в нулевом магнитном поле и исследована перспектива использования их для создания наноразмерных датчиков магнитного поля, работающих при комнатных температурах с возможностью использования наноразмерных материалов.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Document usage statistics

stat Document access count: 206
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics