Details
| Title | Спектроскопия анти-кроссинга и кросс-релаксации в центрах окраски в кристаллах алмаза и карбида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 03.04.02 - Физика ; 03.04.02_01 - Физика наноструктур и наноэлектроника |
|---|---|
| Creators | Бреев Илья Дмитриевич |
| Scientific adviser | Баранов Павел Георгиевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2018 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | Спектроскопия ; Алмазы ; Кремний, карбиды ; Квантовая магнитометрия |
| UDC | 535.33 |
| Document type | Master graduation qualification work |
| Language | Russian |
| Level of education | Master |
| Speciality code (FGOS) | 03.04.02 |
| Speciality group (FGOS) | 030000 - Физика и астрономия |
| Links | Отзыв руководителя ; Рецензия |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-1786 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\53996 |
| Record create date | 10/17/2018 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
В данной работе были проведены экспериментальные исследования спектра анти-кроссинга и кросс-релаксации V-центров в 15R-SiC. Был обнаружен большой сдвиг линий кросс-релаксации в зависимости от температуры в спектрах V-центров. Эти линии мы связываем с процессами кросс-релаксации S=3/2 V-центров и S=1 «темного» центра, расщепление в нулевом поле которого сильно зависит от температуры. Практическая значимость полученных данных заключается в том, что на линиях кросс-релаксации возможно осуществление детектирования температуры с высоким пространственным разрешением. Также в работе были изучены особенности NV-дефекта в алмазе в нулевом магнитном поле и исследована перспектива использования их для создания наноразмерных датчиков магнитного поля, работающих при комнатных температурах с возможностью использования наноразмерных материалов.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 211
Last 30 days: 0
