In this research we present an estimation for the density of states between Landau levels for two-dimensional silicon nanostructure. The experimental studies were performed by Faraday method on de Haas-van Alphen effect. The measurements of the amplitude and shape of the magnetization oscillations, besides using the equilibrium thermodynamics relations in analyzing the experimental data, provided the required information for calculating DOS near the Fermi level.

Целями данной работы являются: расчет плотности состояний между уровнями Ландау для двумерной кремниевой наноструктуры. Экспериментальные исследования были выполнены методом Фарадея по эффекту Гааза-ван Альфена. Измерения амплитуды и формы колебаний намагниченности, помимо использования равновесных термодинамических соотношений при анализе экспериментальных данных, предоставили необходимую информацию для расчета ПС вблизи уровня Ферми.