Детальная информация

Название: Analysis of the form of the de Haas - van Alphen oscillations observed in a silicon nanostructure at room temperature: выпускная квалификационная работа магистра: 03.04.02 - Физика ; 03.04.02_01 - Физика наноструктур и наноэлектроника
Авторы: Chantal Talena Tracey
Научный руководитель: Романов Владимир Викторович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Кремний; Наноструктурные материалы; Магнитное поле; Фононы
УДК: 539.21
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Английский
Код специальности ФГОС: 03.04.02
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-1795
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

A silicon nanostructure containing self-assembled transverse and longitudinal nanosandwiches was investigated for the de Haas-van Alphen effect at room temperature. The expected theoretical results and the experimental results were noticeably different. The smoothening of the oscillations is due to the high ambient temperatures leading to an increased number of phonons in the lattice and in turn increased carrier scattering, longer relaxation times and smeared/broadened Landau levels. The decreasing magnitude of the dHvA oscillations is due to its dependence on both the increasing magnetic field and the increasing effective carrier mass.

Для эффекта де Гааза-ван Альфена при комнатной температуре исследовалась кремниевая наноструктура, содержащая самосборные поперечные и продольные нанослои. Ожидаемые теоретические результаты и экспериментальные результаты заметно отличались. Сглаживание колебаний связано с высокими температурами окружающей среды, что приводит к увеличению числа фононов в решетке и, в свою очередь, к увеличению рассеяния носителей, увеличению времени релаксации и размытым/расширенным уровням Ландау. Уменьшающаяся величина осцилляции dHvA обусловлена ее зависимостью как от возрастающего магнитного поля, так и от возрастающей эффективной массы носителя.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 41
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика