Details

Title Analysis of the form of the de Haas - van Alphen oscillations observed in a silicon nanostructure at room temperature: выпускная квалификационная работа магистра: 03.04.02 - Физика ; 03.04.02_01 - Физика наноструктур и наноэлектроника
Creators Chantal Talena Tracey
Scientific adviser Романов Владимир Викторович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2018
Collection Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects Кремний; Наноструктурные материалы; Магнитное поле; Фононы
UDC 539.21
Document type Master graduation qualification work
File type PDF
Language English
Level of education Master
Speciality code (FGOS) 03.04.02
Speciality group (FGOS) 030000 - Физика и астрономия
Links Отзыв руководителя; Рецензия
DOI 10.18720/SPBPU/2/v18-1795
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\54128
Record create date 10/18/2018

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

A silicon nanostructure containing self-assembled transverse and longitudinal nanosandwiches was investigated for the de Haas-van Alphen effect at room temperature. The expected theoretical results and the experimental results were noticeably different. The smoothening of the oscillations is due to the high ambient temperatures leading to an increased number of phonons in the lattice and in turn increased carrier scattering, longer relaxation times and smeared/broadened Landau levels. The decreasing magnitude of the dHvA oscillations is due to its dependence on both the increasing magnetic field and the increasing effective carrier mass.

Для эффекта де Гааза-ван Альфена при комнатной температуре исследовалась кремниевая наноструктура, содержащая самосборные поперечные и продольные нанослои. Ожидаемые теоретические результаты и экспериментальные результаты заметно отличались. Сглаживание колебаний связано с высокими температурами окружающей среды, что приводит к увеличению числа фононов в решетке и, в свою очередь, к увеличению рассеяния носителей, увеличению времени релаксации и размытым/расширенным уровням Ландау. Уменьшающаяся величина осцилляции dHvA обусловлена ее зависимостью как от возрастающего магнитного поля, так и от возрастающей эффективной массы носителя.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 78 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics